产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 22A（Tc） 31W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI22N03S4L15AKSA1
仓库库存编号：
IPI22N03S4L15AKSA1-ND
别名：IPI22N03S4L-15
IPI22N03S4L-15-ND
SP000277016
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI26CN10N G
仓库库存编号：
IPI26CN10N G-ND
别名：SP000208932
SP000680726
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 85V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI26CNE8N G
仓库库存编号：
IPI26CNE8N G-ND
别名：SP000208935
SP000680728
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI35CN10N G
仓库库存编号：
IPI35CN10N G-ND
别名：SP000208936
SP000680730
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI50CN10NGHKSA1
仓库库存编号：
IPI50CN10NGHKSA1-ND
别名：IPI50CN10N G
IPI50CN10N G-ND
SP000208937
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 79W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI70N04S307AKSA1
仓库库存编号：
IPI70N04S307AKSA1-ND
别名：IPI70N04S3-07
IPI70N04S3-07-ND
SP000279551
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 13A（Tc） 31W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80CN10N G
仓库库存编号：
IPI80CN10N G-ND
别名：SP000208938
SP000680758
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N03S4L04AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N03S4L04AKSA1-ND
别名：IPI80N03S4L-04
IPI80N03S4L-04-ND
SP000274983
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N04S204AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N04S204AKSA1-ND
别名：IPI80N04S2-04
IPI80N04S2-04-ND
SP000219058
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N04S2H4AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N04S2H4AKSA1-ND
别名：IPI80N04S2-H4
IPI80N04S2-H4-ND
SP000218171
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N04S304AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N04S304AKSA1-ND
别名：IPI80N04S3-04
IPI80N04S3-04-ND
SP000261226
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 100W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N04S306AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N04S306AKSA1-ND
别名：IPI80N04S3-06
IPI80N04S3-06-ND
SP000261237
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S207AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N06S207AKSA1-ND
别名：IPI80N06S2-07
IPI80N06S2-07-ND
SP000218817
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S208AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N06S208AKSA1-ND
别名：IPI80N06S2-08
IPI80N06S2-08-ND
SP000218828
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S2L05AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N06S2L05AKSA1-ND
别名：IPI80N06S2L-05
IPI80N06S2L-05-ND
SP000219002
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N06S2L11AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N06S2L11AKSA1-ND
别名：IPI80N06S2L-11
IPI80N06S2L-11-ND
SP000218176
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP05CN10L G
仓库库存编号：
IPP05CN10L G-ND
别名：SP000308801
SP000680812
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP06CN10LGXKSA1
仓库库存编号：
IPP06CN10LGXKSA1-ND
别名：IPP06CN10L G
IPP06CN10L G-ND
SP000308789
SP000680820
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP070N08N3 G
仓库库存编号：
IPP070N08N3 G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP080N03L G
仓库库存编号：
IPP080N03L G-ND
别名：SP000264166
SP000680836
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 98A（Tc） 167W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP08CN10L G
仓库库存编号：
IPP08CN10L G-ND
别名：SP000308791
SP000680842
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N04S204AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N04S204AKSA1-ND
别名：IPP100N04S2-04
IPP100N04S2-04-ND
SP000219056
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N04S2L03AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N04S2L03AKSA1-ND
别名：IPP100N04S2L-03
IPP100N04S2L-03-ND
SP000219062
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N06S205AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N06S205AKSA1-ND
别名：IPP100N06S2-05
IPP100N06S2-05-ND
SP000218872
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N06S2L05AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N06S2L05AKSA1-ND
别名：IPP100N06S2L-05
IPP100N06S2L-05-ND
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