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IPI80N06S2L11AKSA1 - 

MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

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Infineon Technologies IPI80N06S2L11AKSA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IPI80N06S2L11AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N06S2L11AKSA1-ND
描述:
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO262-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IPI80N06S2L11AKSA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-262-3,长引线,I2Pak,TO-262AA  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  OptiMOS??  
  包装  管件   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  PG-TO262-3  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  80nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  11 毫欧 @ 60A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  80A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  2075pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2V @ 93μA  
  功率耗散(最大值)  158W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  55V  
关键词         

产品资料
数据列表 IPx80N06S2L-11
标准包装 500
其它名称 IPI80N06S2L-11
IPI80N06S2L-11-ND
SP000218176

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