产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 20A（Tc） 31W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB147N03LGATMA1
仓库库存编号：
IPB147N03LGATMA1TR-ND
别名：IPB147N03L G
IPB147N03L G-ND
SP000254712
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB160N04S203ATMA1
仓库库存编号：
IPB160N04S203ATMA1TR-ND
别名：IPB160N04S2-03
IPB160N04S2-03-ND
SP000218151
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 160A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-7-3
型号：
IPB160N04S2L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB160N04S2L03ATMA1TR-ND
别名：IPB160N04S2L-03
IPB160N04S2L-03-ND
SP000218153
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 53A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 53A（Tc） 100W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB16CN10N G
仓库库存编号：
IPB16CN10N G-ND
别名：SP000096452
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB26CN10NGATMA1
仓库库存编号：
IPB26CN10NGATMA1TR-ND
别名：IPB26CN10N G
IPB26CN10N G-ND
SP000277692
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 85V 35A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 85V 35A（Tc） 71W（Tc） PG-TO-263
型号：
IPB26CNE8N G
仓库库存编号：
IPB26CNE8N G-ND
别名：SP000292948
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 27A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 27A（Tc） 58W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB34CN10NGATMA1
仓库库存编号：
IPB34CN10NGATMA1TR-ND
别名：IPB34CN10N G
IPB34CN10N G-ND
SP000277693
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 20A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 20A（Tc） 44W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB50CN10NGATMA1
仓库库存编号：
IPB50CN10NGATMA1TR-ND
别名：IPB50CN10N G
IPB50CN10N G-ND
SP000277696
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 77A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 77A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB77N06S212ATMA1
仓库库存编号：
IPB77N06S212ATMA1TR-ND
别名：IPB77N06S2-12
IPB77N06S2-12-ND
SP000218173
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 13A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 13A（Tc） 31W（Tc） PG-TO263-2
型号：
IPB79CN10N G
仓库库存编号：
IPB79CN10N G-ND
别名：SP000277697
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S204ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S204ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S2-04
IPB80N04S2-04-ND
SP000218154
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S2H4ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S2H4ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S2-H4
IPB80N04S2-H4-ND
SP000218165
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S2L03ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S2L03ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S2L-03
IPB80N04S2L-03-ND
SP000220158
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S205ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S205ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-05
IPB80N06S2-05-ND
SP000218877
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S207ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S207ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-07
IPB80N06S2-07-ND
SP000218818
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S208ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S208ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-08
IPB80N06S2-08-ND
SP000218830
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S209ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S209ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-09
IPB80N06S2-09-ND
SP000218741
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2H5ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2H5ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2-H5
IPB80N06S2-H5-ND
SP000218162
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L05ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L05ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-05
IPB80N06S2L-05-ND
SP000219004
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L06ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L06ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-06
IPB80N06S2L-06-ND
SP000218163
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L07ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L07ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-07
IPB80N06S2L-07-ND
SP000218867
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L09ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L09ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-09
IPB80N06S2L-09-ND
SP000218743
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L11ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L11ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-11
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MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L-H5
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MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
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IPB80N06S3-05
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