产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N03S2L-03
仓库库存编号:
SPP80N03S2L-03-ND
别名:SP000012469
SPP80N03S2L03X
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 188W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N03S2L04AKSA1
仓库库存编号:
SPP80N03S2L04AKSA1-ND
别名:SPP80N03S2L-04
SPP80N03S2L-04-ND
SPP80N03S2L04X
SPP80N03S2L04XK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N04S2-04
仓库库存编号:
SPP80N04S2-04-ND
别名:SP000012470
SPP80N04S204
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N04S2-H4
仓库库存编号:
SPP80N04S2-H4-ND
别名:SP000013150
SPP80N04S2H4
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N04S2L-03
仓库库存编号:
SPP80N04S2L-03-ND
别名:SP000012472
SPP80N04S2L03
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2-05
仓库库存编号:
SPP80N06S2-05-ND
别名:SP000012473
SPP80N06S205
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2-07
仓库库存编号:
SPP80N06S2-07-ND
别名:SP000013579
SPP80N06S207
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 215W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2-08
仓库库存编号:
SPP80N06S2-08-ND
别名:SP000012822
SPP80N06S208
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2-09
仓库库存编号:
SPP80N06S2-09-ND
别名:SP000013583
SPP80N06S209
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2-H5
仓库库存编号:
SPP80N06S2-H5-ND
别名:SP000014000
SPP80N06S2H5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2L-05
仓库库存编号:
SPP80N06S2L-05-ND
别名:SP000012474
SPP80N06S2L05
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2L-06
仓库库存编号:
SPP80N06S2L-06-ND
别名:SP000013576
SPP80N06S2L06
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2L-07
仓库库存编号:
SPP80N06S2L-07-ND
别名:SP000012823
SPP80N06S2L07
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2L-09
仓库库存编号:
SPP80N06S2L-09-ND
别名:SP000013580
SPP80N06S2L09
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2L-11
仓库库存编号:
SPP80N06S2L-11-ND
别名:SP000013584
SPP80N06S2L11
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2L-H5
仓库库存编号:
SPP80N06S2L-H5-ND
别名:SP000014001
SPP80N06S2LH5
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N08S2-07
仓库库存编号:
SPP80N08S2-07-ND
别名:SP000012475
SPP80N08S207
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 75V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N08S2L-07
仓库库存编号:
SPP80N08S2L-07-ND
别名:SP000012476
SPP80N08S2L07
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 100V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N10L
仓库库存编号:
SPP80N10L-ND
别名:SP000014349
SPP80N10LX
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 10.5A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 100V 10.5A(Tc) 50W(Tc) P-TO251-3
型号:
SPU11N10
仓库库存编号:
SPU11N10-ND
别名:SP000013848
SPU11N10X
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A IPAK
详细描述:通孔 N 沟道 30V 30A(Tc) 125W(Tc) P-TO251-3
型号:
SPU30N03S2-08
仓库库存编号:
SPU30N03S2-08-ND
别名:SP000014129
SPU30N03S208X
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 60V 30A IPAK
详细描述:通孔 P 沟道 60V 30A(Tc) 125W(Tc) PG-TO251-3
型号:
SPU30P06P
仓库库存编号:
SPU30P06PIN-ND
别名:SP000012844
SPU30P06P-ND
SPU30P06PIN
SPU30P06PX
SPU30P06PXK
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 80A(Tc) 150W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB03N03LA G
仓库库存编号:
IPB03N03LAGINCT-ND
别名:IPB03N03LAG
IPB03N03LAGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 100A(Tc) 300W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB048N06LGATMA1
仓库库存编号:
IPB048N06LGATMA1CT-ND
别名:IPB048N06LG
IPB048N06LGINCT
IPB048N06LGINCT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB04N03LA G
仓库库存编号:
IPB04N03LAGINCT-ND
别名:IPB04N03LAG
IPB04N03LAGINCT
产品分类:分立半导体产品,规格:工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ),
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