SPP80N06S2L-07,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

SPP80N06S2L-07 - 

MOSFET N-CH 55V 80A TO-220

  • 已过时的产品。
Infineon Technologies SPP80N06S2L-07
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SPP80N06S2L-07
仓库库存编号:
SPP80N06S2L-07-ND
描述:
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 210W(Tc) PG-TO220-3-1
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

SPP80N06S2L-07产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  OptiMOS??  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  PG-TO220-3-1  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  130nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  7 毫欧 @ 60A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4.5V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  80A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  4210pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2V @ 150μA  
  功率耗散(最大值)  210W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  55V  
关键词         

产品资料
PCN 过时产品/ EOL Multiple Devices 05/Jun/2008
标准包装 500
其它名称 SP000012823
SPP80N06S2L07

SPP80N06S2L-07相关搜索

封装/外壳 TO-220-3  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-220-3  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 通孔  Infineon Technologies 安装类型 通孔  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)   系列 OptiMOS??  Infineon Technologies 系列 OptiMOS??  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 OptiMOS??  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 OptiMOS??   包装 管件   Infineon Technologies 包装 管件   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件   Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 PG-TO220-3-1  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO220-3-1  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO220-3-1  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO220-3-1   技术 MOSFET(金属氧化物)  Infineon Technologies 技术 MOSFET(金属氧化物)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)   Vgs(最大值) ±20V  Infineon Technologies Vgs(最大值) ±20V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 10V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 7 毫欧 @ 60A,10V  Infineon Technologies 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 7 毫欧 @ 60A,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 7 毫欧 @ 60A,10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 7 毫欧 @ 60A,10V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V  Infineon Technologies 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V   FET 类型 N 沟道  Infineon Technologies FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc)  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc)  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4210pF @ 25V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4210pF @ 25V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4210pF @ 25V  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4210pF @ 25V   FET 功能 -  Infineon Technologies FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 150μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 150μA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 150μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 150μA   功率耗散(最大值) 210W(Tc)  Infineon Technologies 功率耗散(最大值) 210W(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 210W(Tc)  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 210W(Tc)   漏源电压(Vdss) 55V  Infineon Technologies 漏源电压(Vdss) 55V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 55V  Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 55V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号