产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP
详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Tc） 48W（Tc） TO-220-3
型号：
IRFIZ44G
仓库库存编号：
IRFIZ44G-ND
别名：*IRFIZ44G
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 200V 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） I2PAK
型号：
IRFSL31N20DTRL
仓库库存编号：
IRFSL31N20DTRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 200V 31A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 200V 31A（Tc） 3.1W（Ta），200W（Tc） I2PAK
型号：
IRFSL31N20DTRR
仓库库存编号：
IRFSL31N20DTRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220AB
型号：
IRFZ10
仓库库存编号：
IRFZ10-ND
别名：*IRFZ10
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） TO-262-3
型号：
IRFZ14L
仓库库存编号：
IRFZ14L-ND
别名：*IRFZ14L
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ14STRL
仓库库存编号：
IRFZ14STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 10A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ14STRR
仓库库存编号：
IRFZ14STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） TO-262-3
型号：
IRFZ24L
仓库库存编号：
IRFZ24L-ND
别名：*IRFZ24L
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ24STRL
仓库库存编号：
IRFZ24STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 17A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 17A（Tc） 3.7W（Ta），60W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ24STRR
仓库库存编号：
IRFZ24STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） TO-262-3
型号：
IRFZ34L
仓库库存编号：
IRFZ34L-ND
别名：*IRFZ34L
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ34S
仓库库存编号：
IRFZ34S-ND
别名：*IRFZ34S
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ34STRL
仓库库存编号：
IRFZ34STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 30A（Tc） 3.7W（Ta），88W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ34STRR
仓库库存编号：
IRFZ34STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） TO-262-3
型号：
IRFZ44L
仓库库存编号：
IRFZ44L-ND
别名：*IRFZ44L
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），150W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ44STRL
仓库库存编号：
IRFZ44STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），190W（Tc） TO-262-3
型号：
IRFZ48L
仓库库存编号：
IRFZ48L-ND
别名：*IRFZ48L
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），190W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ48S
仓库库存编号：
IRFZ48S-ND
别名：*IRFZ48S
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），190W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ48STRL
仓库库存编号：
IRFZ48STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 50A（Tc） 3.7W（Ta），190W（Tc） D2PAK
型号：
IRFZ48STRR
仓库库存编号：
IRFZ48STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 3.8W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
IRL2203STRL
仓库库存编号：
IRL2203STRL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 100A（Tc） 3.8W（Ta），130W（Tc） D2PAK
型号：
IRL2203STRR
仓库库存编号：
IRL2203STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 38A（Tc） 68W（Tc） D2PAK
型号：
IRL3303D1STRR
仓库库存编号：
IRL3303D1STRR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 100V 5.6A（Tc） TO-262-3
型号：
IRL510L
仓库库存编号：
IRL510L-ND
别名：*IRL510L
产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.6A（Tc） 3.7W（Ta），43W（Tc） D2PAK
型号：
IRL510STRL
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