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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 102A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 102A（Tc） 455W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH102N15T
  仓库库存编号：IXTH102N15T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 340A
  详细描述：通孔 N 沟道 340A（Tc） 480W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTH340N04T4
  仓库库存编号：IXTH340N04T4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 102A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 102A（Tc） 455W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH102N15T
  仓库库存编号：IXFH102N15T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET P-CH 200V 26A TO-3P
  详细描述：通孔 P 沟道 26A（Tc） 300W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ26P20P
  仓库库存编号：IXTQ26P20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 650V 120A 455W TO247AD
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247 (IXXH)
  
  型号：IXXH40N65B4
  仓库库存编号：IXXH40N65B4-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 50A 600V TO-247
  详细描述：IGBT Trench Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTB50N60S1WG
  仓库库存编号：NGTB50N60S1WGOS-ND
  别名：NGTB50N60S1WGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 600V 80A 417W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247
  
  型号：NGTB40N60L2WG
  仓库库存编号：NGTB40N60L2WGOS-ND
  别名：NGTB40N60L2WGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 74A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 74A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ74N20P
  仓库库存编号：IXTQ74N20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 96A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 96A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ96N15P
  仓库库存编号：IXTQ96N15P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  1200V 40A FS2 TRENCH IGBT
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
  
  型号：FGH12040WD_F155
  仓库库存编号：FGH12040WD_F155-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 75V 230A
  详细描述：通孔 N 沟道 230A（Tc） 480W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IXFP230N075T2
  仓库库存编号：IXFP230N075T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 600V 50A TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTB50N60FL2WG
  仓库库存编号：NGTB50N60FL2WG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 40V 300A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 300A（Tc） 480W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH300N04T2
  仓库库存编号：IXTH300N04T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ110N10P
  仓库库存编号：IXTQ110N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 60V 150A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 150A（Tc） 480W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ150N06P
  仓库库存编号：IXTQ150N06P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 75A 600V TO-247
  详细描述：IGBT Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTB75N60SWG
  仓库库存编号：NGTB75N60SWGOS-ND
  别名：NGTB75N60SWGOS
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  IGBT 600V TO247
  详细描述：IGBT PT Through Hole TO-247AD
  
  型号：IXXH30N60B3
  仓库库存编号：IXXH30N60B3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 63A 203W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT30GN60BDQ2G
  仓库库存编号：APT30GN60BDQ2G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 40V 220A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 220A（Tc） 360W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
  
  型号：IXTA220N04T2-7
  仓库库存编号：IXTA220N04T2-7-ND
  别名：IXTA220N04T27
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 75V 230A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 230A（Tc） 480W（Tc） TO-263-7
  
  型号：IXTA230N075T2-7
  仓库库存编号：IXTA230N075T2-7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  IGBT 600V 40A 136W TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247 [B]
  
  型号：APT20GN60BDQ1G
  仓库库存编号：APT20GN60BDQ1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  IGBT 600V 50A TO247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop Through Hole TO-247-3
  
  型号：NGTB50N65FL2WG
  仓库库存编号：NGTB50N65FL2WG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 102A TO3P
  详细描述：通孔 N 沟道 102A（Tc） 750W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ102N20T
  仓库库存编号：IXTQ102N20T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 150V 130A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 130A（Tc） 750W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ130N15T
  仓库库存编号：IXTQ130N15T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  MOSFET N-CH 100V 110A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 110A（Tc） 480W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH110N10P
  仓库库存编号：IXFH110N10P-ND
  
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