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产品规格

封装/外壳	TO-247-3
制造商	Fairchild/ON Semiconductor
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-247-3
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	71ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	428W
Current - Collector (Ic) (Max)	80A
测试条件	600V，40A，23 欧姆，15V
开关能量	4.1mJ（开），1mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	100A
IGBT 类型	沟槽型场截止
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.9V @ 15V，40A
25°C 时 Td（开/关）值	45ns/560ns
栅极电荷	226nC
关键词

产品资料

数据列表	FGH12040WD
标准包装	450

封装/外壳 TO-247-3  Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor   安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-247-3  Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247-3  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247-3   输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 71ns  Fairchild/ON Semiconductor 反向恢复时间（trr） 71ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 71ns  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 71ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Fairchild/ON Semiconductor Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 428W  Fairchild/ON Semiconductor Power - Max 428W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 428W  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 428W   Current - Collector (Ic) (Max) 80A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector (Ic) (Max) 80A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 80A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 80A   测试条件 600V，40A，23 欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 测试条件 600V，40A，23 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，40A，23 欧姆，15V  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，40A，23 欧姆，15V   开关能量 4.1mJ（开），1mJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 开关能量 4.1mJ（开），1mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 4.1mJ（开），1mJ（关）  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 4.1mJ（开），1mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 100A  Fairchild/ON Semiconductor Current - Collector Pulsed (Icm) 100A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 100A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 100A   IGBT 类型 沟槽型场截止  Fairchild/ON Semiconductor IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.9V @ 15V，40A  Fairchild/ON Semiconductor 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.9V @ 15V，40A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.9V @ 15V，40A  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.9V @ 15V，40A   25°C 时 Td（开/关）值 45ns/560ns  Fairchild/ON Semiconductor 25°C 时 Td（开/关）值 45ns/560ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 45ns/560ns  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 45ns/560ns   栅极电荷 226nC  Fairchild/ON Semiconductor 栅极电荷 226nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 226nC  Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 226nC