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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 30A（Tc） 214W（Tc） TO-247AC
  
  型号：IRFP250MPBF
  仓库库存编号：IRFP250MPBF-ND
  别名：SP001566168
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 35A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 35A（Tc） 144W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB5615PBF
  仓库库存编号：IRFB5615PBF-ND
  别名：SP001575534
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 240A（Tc） 375W（Tc） D2PAK（7-Lead）
  
  型号：IRFS7530TRL7PP
  仓库库存编号：IRFS7530TRL7PPCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 43A（Tc） 3.8W（Ta），300W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB38N20DPBF
  仓库库存编号：IRFB38N20DPBF-ND
  别名：*IRFB38N20DPBF
  SP001556010
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 55A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 55A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRL2910PBF
  仓库库存编号：IRL2910PBF-ND
  别名：*IRL2910PBF
  SP001576496
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 25A（Tc） 144W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRFB5620PBF
  仓库库存编号：IRFB5620PBF-ND
  别名：SP001565852
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 180W（Tc） TO-263（IXTA）
  
  型号：IXTA110N055T2
  仓库库存编号：IXTA110N055T2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 150V 83A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 83A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP111N15N3 G
  仓库库存编号：IPP111N15N3 G-ND
  别名：IPP111N15N3G
  IPP111N15N3GXKSA1
  SP000677860
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 29A（Ta），120A（Tc） 3W（Ta），214W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP020N06NAKSA1
  仓库库存编号：IPP020N06NAKSA1-ND
  别名：IPP020N06N
  IPP020N06N-ND
  SP000917406
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 80A 283W TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 283W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW40H65DFB
  仓库库存编号：497-14365-ND
  别名：497-14365
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 160A TO-3P
  详细描述：通孔 N 沟道 160A（Tc） 430W（Tc） TO-3P
  
  型号：IXTQ160N10T
  仓库库存编号：IXTQ160N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 333W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP036N10A
  仓库库存编号：FDP036N10A-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
  详细描述：表面贴装 N 沟道 180A（Tc） 315W（Tc） H2PAK
  
  型号：STH270N8F7-6
  仓库库存编号：497-13874-1-ND
  别名：497-13874-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 19A 52W TO220FP
  详细描述：IGBT NPT 600V 19A 52W Through Hole TO-220AB Full-Pak
  
  型号：IRGIB15B60KD1P
  仓库库存编号：IRGIB15B60KD1P-ND
  别名：63-7002PBF
  63-7002PBF-ND
  SP001537730
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 650V 80A 268W TO-247AB
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 268W Through Hole TO-247-3
  
  型号：FGH40T65UPD
  仓库库存编号：FGH40T65UPD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 375W（Tc） PG-TO-220-3
  
  型号：IPP023N10N5AKSA1
  仓库库存编号：IPP023N10N5AKSA1-ND
  别名：SP001120504
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  IGBT 1200V 80A 555W TO247-3
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 1200V 80A 555W Through Hole TO-247
  
  型号：FGH40T120SMD
  仓库库存编号：FGH40T120SMD-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 85A（Tc） 3.75W（Ta），250W（Tc） TO-220AB
  
  型号：SUP85N10-10-E3
  仓库库存编号：SUP85N10-10-E3-ND
  别名：SUP85N10-10-E3CT
  SUP85N10-10-E3CT-ND
  SUP85N1010E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 650V 120A 469W TO-247
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 120A 469W Through Hole TO-247
  
  型号：STGW80H65DFB
  仓库库存编号：497-14368-ND
  别名：497-14368
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  IGBT 1200V 70A 577W TO247
  详细描述：IGBT 1200V 70A 577W Through Hole TO-247 (IXYH)
  
  型号：IXYH40N120C3
  仓库库存编号：IXYH40N120C3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  IGBT 600V 140A 454W TO247AD
  详细描述：IGBT Trench 600V 140A 454W Through Hole TO-247AD
  
  型号：IRGP4066D-EPBF
  仓库库存编号：IRGP4066D-EPBF-ND
  别名：IRGP4066DEPBF
  SP001548120
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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  RECT BRIDGE FAST 3PHASE I4-PAC-5
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 1200V 30A Through Hole ISOPLUS i4-PAC?
  
  型号：FUE30-12N1
  仓库库存编号：FUE30-12N1-ND
  别名：FUE3012N1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  POWER MODULE FULL BRIDGE SOT-227
  详细描述：Bridge Rectifier Single Phase 600V 60A Chassis Mount SOT-227
  
  型号：APT30DF60HJ
  仓库库存编号：APT30DF60HJ-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 115A（Tc） 680W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXFN140N20P
  仓库库存编号：IXFN140N20P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Microsemi Corporation
  TRANS PNP DARL 100V 12A TO-3
  详细描述：Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 12A 150W Through Hole TO-204AA (TO-3)
  
  型号：JANTX2N6052
  仓库库存编号：1086-15534-ND
  别名：1086-15534-MIL
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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