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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
  详细描述：表面贴装 N 沟道 3A（Ta） 1.3W（Ta） SOT-223
  
  型号：NVF3055L108T1G
  仓库库存编号：NVF3055L108T1GOSCT-ND
  别名：NVF3055L108T1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 33W Surface Mount PG-TDSON-8-4
  
  型号：IPG20N06S4L26ATMA1
  仓库库存编号：IPG20N06S4L26ATMA1CT-ND
  别名：IPG20N06S4L26ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 60A SO-8FL
  详细描述：表面贴装 N 沟道 11.2A（Ta） 3.7W（Ta），107W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NTMFS5844NLT1G
  仓库库存编号：NTMFS5844NLT1GOSCT-ND
  别名：NTMFS5844NLT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30A（Tc） 57W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD30N10S3L34ATMA1
  仓库库存编号：IPD30N10S3L34ATMA1CT-ND
  别名：IPD30N10S3L-34CT
  IPD30N10S3L-34CT-ND
  IPD30N10S3L34ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET 2N-CH 60V 6A 8SOIC
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 6A 3.2W Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)
  
  型号：NVMFD5877NLT1G
  仓库库存编号：NVMFD5877NLT1GOSCT-ND
  别名：NVMFD5877NLT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta） 1.74W（Ta） DPAK-3
  
  型号：NID9N05ACLT4G
  仓库库存编号：NID9N05ACLT4GOSCT-ND
  别名：NID9N05ACLT4GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 160A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 160A（Tc） 135W（Tc） D-Pak
  
  型号：IRLR8743TRPBF
  仓库库存编号：IRLR8743TRPBFCT-ND
  别名：IRLR8743TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N CH 40V 90A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 140W（Tc） D-PAK（TO-252AA）
  
  型号：IRFR7440TRPBF
  仓库库存编号：IRFR7440TRPBFCT-ND
  别名：IRFR7440TRPBFCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 60V 52A SO8
  详细描述：表面贴装 P 沟道 52A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
  
  型号：SQJ459EP-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJ459EP-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJ459EP-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 40V 40A 56LFPAK
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 40A 64W Surface Mount LFPAK56D
  
  型号：BUK9K6R8-40EX
  仓库库存编号：1727-1809-1-ND
  别名：1727-1809-1
  568-11423-1
  568-11423-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 40A 68W Surface Mount LFPAK56D
  
  型号：BUK9K6R2-40E,115
  仓库库存编号：1727-7274-1-ND
  别名：1727-7274-1
  568-9904-1
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  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 420V 25A 125W DPAK
  详细描述：IGBT 420V 25A 125W Surface Mount D-Pak
  
  型号：STGD18N40LZT4
  仓库库存编号：497-7010-1-ND
  别名：497-7010-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 100V 46A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 46A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK9629-100B,118
  仓库库存编号：1727-4716-1-ND
  别名：1727-4716-1
  568-5866-1
  568-5866-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK9612-55B,118
  仓库库存编号：1727-4713-1-ND
  别名：1727-4713-1
  568-5863-1
  568-5863-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 64A SO8FL
  详细描述：表面贴装 P 沟道 10A（Ta），64A（Tc） 3.8W（Ta）, 150W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）
  
  型号：NVMFS5113PLT1G
  仓库库存编号：NVMFS5113PLT1GOSCT-ND
  别名：NVMFS5113PLT1GOSCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 75A（Tc） 137W（Tc） D2PAK
  
  型号：BUK965R4-40E,118
  仓库库存编号：1727-7262-1-ND
  别名：1727-7262-1
  568-9891-1
  568-9891-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 40V 20A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 20A（Ta），105A（Tc） 1.9W（Ta），176W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：AOB240L
  仓库库存编号：785-1324-1-ND
  别名：785-1324-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 90A
  详细描述：表面贴装 N 沟道 90A（Tc） 150W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD068N10N3GATMA1
  仓库库存编号：IPD068N10N3GATMA1CT-ND
  别名：IPD068N10N3GATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 167W（Tc） PG-TO252-3
  
  型号：IPD031N06L3 G
  仓库库存编号：IPD031N06L3 GCT-ND
  别名：IPD031N06L3 GCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET P-CH 60V 17A TO-220
  详细描述：通孔 P 沟道 17A（Tc） 79W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FQP17P06
  仓库库存编号：FQP17P06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 60V 80A F7 D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 160W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB130N6F7
  仓库库存编号：497-15895-1-ND
  别名：497-15895-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 17A（Tc） 60W（Tc） TO-220AB
  
  型号：IRLZ24PBF
  仓库库存编号：IRLZ24PBF-ND
  别名：*IRLZ24PBF
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 50A TO-220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 50A（Tc） 131W（Tc） TO-220AB
  
  型号：RFP50N06
  仓库库存编号：RFP50N06-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7
  详细描述：表面贴装 P 沟道 180A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-7-3
  
  型号：IPB180P04P4L02ATMA1
  仓库库存编号：IPB180P04P4L02ATMA1CT-ND
  别名：IPB180P04P4L02ATMA1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CHAN 80V POWERPAK 8X8L
  详细描述：表面贴装 N 沟道 150A（Tc） 136W（Tc） PowerPAK? 8 x 8
  
  型号：SQJQ480E-T1_GE3
  仓库库存编号：SQJQ480E-T1_GE3CT-ND
  别名：SQJQ480E-T1_GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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