STGD18N40LZT4,STMicroelectronics,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

STGD18N40LZT4 - 

IGBT 420V 25A 125W DPAK

STMicroelectronics STGD18N40LZT4
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
STGD18N40LZT4
仓库库存编号:
497-7010-1-ND
描述:
IGBT 420V 25A 125W DPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 420V 25A 125W Surface Mount D-Pak
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

STGD18N40LZT4产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  
  制造商  STMicroelectronics  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  PowerMESH??  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  D-Pak  
  输入类型  逻辑  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  420V  
  Power - Max  125W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  25A  
  测试条件  300V,10A,5V  
  开关能量  -  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  40A  
  IGBT 类型  -  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  1.7V @ 4.5V,10A  
  25°C 时 Td(开/关)值  650ns/13.5μs  
  栅极电荷  29nC  
关键词         

产品资料
数据列表 STGx18N40LZ
其它有关文件 STGD18N40LZ View All Specifications
标准包装 1
其它名称 497-7010-1

STGD18N40LZT4相关搜索

封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  STMicroelectronics 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63   制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 制造商 STMicroelectronics  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 STMicroelectronics   安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  STMicroelectronics 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)   系列 PowerMESH??  STMicroelectronics 系列 PowerMESH??  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 PowerMESH??  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 PowerMESH??   包装 剪切带(CT)   STMicroelectronics 包装 剪切带(CT)   晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)   STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)    零件状态 在售  STMicroelectronics 零件状态 在售  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 D-Pak  STMicroelectronics 供应商器件封装 D-Pak  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 D-Pak   输入类型 逻辑  STMicroelectronics 输入类型 逻辑  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 逻辑  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 逻辑   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 420V  STMicroelectronics Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 420V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 420V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 420V   Power - Max 125W  STMicroelectronics Power - Max 125W  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 125W  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 125W   Current - Collector (Ic) (Max) 25A  STMicroelectronics Current - Collector (Ic) (Max) 25A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 25A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 25A   测试条件 300V,10A,5V  STMicroelectronics 测试条件 300V,10A,5V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 300V,10A,5V  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 300V,10A,5V   开关能量 -  STMicroelectronics 开关能量 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 40A  STMicroelectronics Current - Collector Pulsed (Icm) 40A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 40A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 40A   IGBT 类型 -  STMicroelectronics IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.7V @ 4.5V,10A  STMicroelectronics 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.7V @ 4.5V,10A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.7V @ 4.5V,10A  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.7V @ 4.5V,10A   25°C 时 Td(开/关)值 650ns/13.5μs  STMicroelectronics 25°C 时 Td(开/关)值 650ns/13.5μs  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 650ns/13.5μs  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 650ns/13.5μs   栅极电荷 29nC  STMicroelectronics 栅极电荷 29nC  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 29nC  STMicroelectronics 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 29nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号