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• Diodes Incorporated
  MOSFET N-CH 60V TO-263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100A（Tc） 4.7W（Ta）, 136W（Tc） TO-263AB
  
  型号：DMTH6004SCTB-13
  仓库库存编号：DMTH6004SCTB-13DICT-ND
  别名：DMTH6004SCTB-13DICT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） TO-220-5
  
  型号：BUK7907-55ATE,127
  仓库库存编号：1727-7223-ND
  别名：1727-7223
  568-9740-5
  568-9740-5-ND
  934056979127
  BUK7907-55ATE
  BUK7907-55ATE,127-ND
  BUK7907-55ATE-ND
  BUK790755ATE127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
  详细描述：通孔 N 沟道 75A（Tc） 272W（Tc） TO-220-5
  
  型号：BUK9907-40ATC,127
  仓库库存编号：1727-7228-ND
  别名：1727-7228
  568-9750-5
  568-9750-5-ND
  934056980127
  BUK9907-40ATC
  BUK9907-40ATC,127-ND
  BUK9907-40ATC-ND
  BUK990740ATC127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  IGBT 600V 30A 167W TO220
  详细描述：IGBT 600V 30A 167W Through Hole TO-220
  
  型号：AOT15B60D
  仓库库存编号：785-1590-5-ND
  别名：785-1590-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 30V 156A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 19A（Ta），156A（Tc） 160W（Tc） TO-220AB
  
  型号：FDP8870_F085
  仓库库存编号：FDP8870_F085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 600V 20A 115W D2PAK
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 20A 115W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB10H60DF
  仓库库存编号：497-14975-1-ND
  别名：497-14975-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V 25A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25A（Ta） 188W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB8443_F085
  仓库库存编号：FDB8443_F085CT-ND
  别名：FDB8443_F085CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 120A（Tc） 160W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB088N08
  仓库库存编号：FDB088N08CT-ND
  别名：FDB088N08CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 56A TO-262AA
  详细描述：通孔 N 沟道 56A（Tc） 200W（Tc） TO-262AA
  
  型号：HUF75639S3
  仓库库存编号：HUF75639S3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 50A TO252
  详细描述：表面贴装 N 沟道 50A（Tc） 6.8W（Ta），65W（Tc） TO-252，（D-Pak）
  
  型号：SUD50N02-06P-E3
  仓库库存编号：SUD50N02-06P-E3CT-ND
  别名：SUD50N02-06P-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT 390V 25A 150W D2PAK
  详细描述：IGBT 390V 25A 150W Surface Mount TO-263 (D2Pak)
  
  型号：STGB20N40LZ
  仓库库存编号：497-14035-1-ND
  别名：497-14035-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 306W（Tc） I2PAK
  
  型号：BUK6E2R3-40C,127
  仓库库存编号：1727-5887-ND
  别名：1727-5887
  568-7504-5
  568-7504-5-ND
  934064472127
  BUK6E2R3-40C,127-ND
  BUK6E2R340C127
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 300W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB80NF55-08T4
  仓库库存编号：497-3737-1-ND
  别名：497-3737-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 200W（Tc） D2PAK（TO-263）
  
  型号：HUFA75639S3ST_F085A
  仓库库存编号：HUFA75639S3ST_F085ACT-ND
  别名：HUFA75639S3ST_F085ACT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 56A（Tc） 200W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUFA75639S3ST
  仓库库存编号：HUFA75639S3STCT-ND
  别名：HUFA75639S3STCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 47A（Tc） 110W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：HUF76429S3ST
  仓库库存编号：HUF76429S3STCT-ND
  别名：HUF76429S3STCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 40V TO-220AB-3
  详细描述：通孔 N 沟道 20A（Ta），80A（Tc） 188W（Tc） TO-220-3
  
  型号：FDP8443_F085
  仓库库存编号：FDP8443_F085-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 80A（Tc） 110W（Tc） D2PAK
  
  型号：STB95N4F3
  仓库库存编号：497-12427-1-ND
  别名：497-12427-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  IGBT HB 650V 40A ISOWATT218
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 650V 80A 62.5W Through Hole TO-3PF-3
  
  型号：STGFW40H65FB
  仓库库存编号：497-15540-5-ND
  别名：497-15540-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 80V 110A TO263
  详细描述：表面贴装 N 沟道 110A（Tc） 176W（Tj） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB86366_F085
  仓库库存编号：FDB86366_F085CT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• STMicroelectronics
  TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB
  详细描述：IGBT Trench Field Stop 600V 60A 260W Surface Mount D2PAK
  
  型号：STGB30H60DFB
  仓库库存编号：497-16518-1-ND
  别名：497-16518-1
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Alpha & Omega Semiconductor Inc.
  MOSFET N-CH 60V 18A TO220F
  详细描述：通孔 N 沟道 18A（Ta），78A（Tc） 2.1W（Ta），45.5W（Tc） TO-220-3F
  
  型号：AOTF266L
  仓库库存编号：785-1443-5-ND
  别名：785-1443-5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 60V 120A
  详细描述：通孔 N 沟道 120A（Tc） 188W（Tc） PG-TO262-3
  
  型号：IPI032N06N3GAKSA1
  仓库库存编号：IPI032N06N3GAKSA1-ND
  别名：SP000680650
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 61A TO-263AB
  详细描述：表面贴装 N 沟道 9A（Ta），61A（Tc） 150W（Tc） D2PAK（TO-263AB）
  
  型号：FDB3652
  仓库库存编号：FDB3652CT-ND
  别名：FDB3652CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 34A D-PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 34A（Ta） 3.8W（Ta），83W（Tc） TO-252
  
  型号：FDD3670
  仓库库存编号：FDD3670CT-ND
  别名：FDD3670CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）,
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