FDB088N08,Fairchild/ON Semiconductor,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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FDB088N08
FDB088N08 -
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor
制造商产品编号:
FDB088N08
仓库库存编号:
FDB088N08CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 120A(Tc) 160W(Tc) D2PAK(TO-263AB)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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FDB088N08产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
Fairchild/ON Semiconductor
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
系列
PowerTrench?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
D2PAK(TO-263AB)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
118nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
8.8 毫欧 @ 75A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
120A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
6595pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
160W(Tc)
漏源电压(Vdss)
75V
关键词
产品资料
数据列表
FDB088N08
标准包装
1
其它名称
FDB088N08CT
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封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
Fairchild/ON Semiconductor 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Fairchild/ON Semiconductor
安装类型 表面贴装
Fairchild/ON Semiconductor 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
Fairchild/ON Semiconductor 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
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系列 PowerTrench?
Fairchild/ON Semiconductor 系列 PowerTrench?
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 PowerTrench?
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 PowerTrench?
包装 剪切带(CT)
Fairchild/ON Semiconductor 包装 剪切带(CT)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
Fairchild/ON Semiconductor 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 D2PAK(TO-263AB)
Fairchild/ON Semiconductor 供应商器件封装 D2PAK(TO-263AB)
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技术 MOSFET(金属氧化物)
Fairchild/ON Semiconductor 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±20V
Fairchild/ON Semiconductor Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 118nC @ 10V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 118nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 118nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.8 毫欧 @ 75A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6595pF @ 25V
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6595pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6595pF @ 25V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 6595pF @ 25V
FET 功能 -
Fairchild/ON Semiconductor FET 功能 -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
功率耗散(最大值) 160W(Tc)
Fairchild/ON Semiconductor 功率耗散(最大值) 160W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 160W(Tc)
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 160W(Tc)
漏源电压(Vdss) 75V
Fairchild/ON Semiconductor 漏源电压(Vdss) 75V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 75V
Fairchild/ON Semiconductor 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 75V
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