产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 8A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 8A(Tc) 335W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT7M120B
仓库库存编号:
APT7M120B-ND
别名:APT7M120BMI
APT7M120BMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 54A 347W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 54A 347W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT25GT120BRG
仓库库存编号:
APT25GT120BRG-ND
别名:APT25GT120BRGMI
APT25GT120BRGMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 463W TO247
详细描述:IGBT PT 600V 100A 463W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT30GP60BDQ1G
仓库库存编号:
APT30GP60BDQ1G-ND
别名:APT30GP60BDQ1GMP
APT30GP60BDQ1GMP-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 93A 415W TO247
详细描述:IGBT NPT 600V 93A 415W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT50GS60BRDQ2G
仓库库存编号:
APT50GS60BRDQ2G-ND
别名:APT50GS60BRDQ2GMI
APT50GS60BRDQ2GMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 37A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 37A(Tc) 1135W(Tc) TO-264
型号:
APT37M100L
仓库库存编号:
APT37M100L-ND
别名:APT37M100LMI
APT37M100LMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
无铅
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
详细描述:IGBT PT 1200V 100A 1042W Through Hole
型号:
APT75GP120B2G
仓库库存编号:
APT75GP120B2G-ND
别名:APT75GP120B2GMI
APT75GP120B2GMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 58A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 58A(Tc) 520W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT50M65JFLL
仓库库存编号:
APT50M65JFLL-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 128A 543W SOT227
详细描述:IGBT Module PT Single 1200V 128A 543W Chassis Mount ISOTOP?
型号:
APT75GP120JDQ3
仓库库存编号:
APT75GP120JDQ3-ND
别名:APT75GP120JDQ3MI
APT75GP120JDQ3MI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 14A TO247
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 625W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT13F120B
仓库库存编号:
APT13F120B-ND
别名:APT13F120BMI
APT13F120BMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 143A 625W TO264
详细描述:IGBT PT 600V 143A 625W Through Hole TO-264
型号:
APT80GA60LD40
仓库库存编号:
APT80GA60LD40-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 52A(Tc) 568W(Tc) ISOTOP?
型号:
APL502J
仓库库存编号:
APL502J-ND
别名:APL502JMI
APL502JMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 36A 250W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 36A 250W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT15GT120BRDQ1G
仓库库存编号:
APT15GT120BRDQ1G-ND
别名:APT15GT120BRDQ1GMI
APT15GT120BRDQ1GMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 24A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 335W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT24F50B
仓库库存编号:
APT24F50B-ND
别名:APT24F50BMP
APT24F50BMP-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 52A 297W TO247
详细描述:IGBT NPT 1200V 52A 297W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT33GF120BRG
仓库库存编号:
APT33GF120BRG-ND
别名:APT33GF120BRGMI
APT33GF120BRGMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 500W TO247
详细描述:IGBT NPT 600V 100A 500W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT60GT60BRG
仓库库存编号:
APT60GT60BRG-ND
别名:APT60GT60BRGMI
APT60GT60BRGMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT 900V 145A 625W TO247
详细描述:IGBT PT 900V 145A 625W Through Hole TO-247 [B]
型号:
APT80GA90B
仓库库存编号:
APT80GA90B-ND
别名:APT80GA90BMI
APT80GA90BMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1000V 17A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 17A(Tc) 625W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT17F100B
仓库库存编号:
APT17F100B-ND
别名:APT17F100BMI
APT17F100BMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 14A(Tc) 625W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT14M120B
仓库库存编号:
APT14M120B-ND
别名:APT14M120BMI
APT14M120BMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 200A 833W TO264
详细描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole TO-264 [L]
型号:
APT75GN120LG
仓库库存编号:
APT75GN120LG-ND
别名:APT75GN120LGMI
APT75GN120LGMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 46A(Tc) 520W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT5010LLLG
仓库库存编号:
APT5010LLLG-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT 600V 100A 833W TMAX
详细描述:IGBT PT 600V 100A 833W Through Hole
型号:
APT65GP60B2G
仓库库存编号:
APT65GP60B2G-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 48A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 49A(Tc) 1135W(Tc) TO-264 [L]
型号:
APT48M80L
仓库库存编号:
APT48M80L-ND
别名:APT48M80LMI
APT48M80LMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
IGBT 1200V 113A 625W TMAX
详细描述:IGBT PT 1200V 113A 625W Through Hole
型号:
APT45GP120B2DQ2G
仓库库存编号:
APT45GP120B2DQ2G-ND
别名:APT45GP120B2DQ2GMI
APT45GP120B2DQ2GMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 60A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 60A(Tc) 431W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT60N60BCSG
仓库库存编号:
APT60N60BCSG-ND
别名:APT60N60BCSGMI
APT60N60BCSGMI-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 650V 95A T-MAX
详细描述:通孔 N 沟道 95A(Tc) 833W(Tc) T-MAX? [B2]
型号:
APT94N65B2C6
仓库库存编号:
APT94N65B2C6-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Microsemi Corporation,规格:工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ),
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