产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 130A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 130A(Tc) 360W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP130N10T2
仓库库存编号:
IXFP130N10T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
IGBT 600V 70A 190W TO220
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP30N60B2
仓库库存编号:
IXGP30N60B2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 4A 25W TO220AB
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP2N100A
仓库库存编号:
IXGP2N100A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 650V
详细描述:通孔 N 沟道 29A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP28N65E-GE3
仓库库存编号:
SIHP28N65E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
搜索
Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 80A TO220
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Ta) 125W(Tc) TO-220AB
型号:
RJK0603DPN-E0#T2
仓库库存编号:
RJK0603DPN-E0#T2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600mA(Tc) 42W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP06N120P
仓库库存编号:
IXTP06N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 55V 110A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 390W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP110N055P
仓库库存编号:
IXTP110N055P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 1200V 1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 1A(Tc) 63W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP1N120P
仓库库存编号:
IXTP1N120P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 250V 42A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 42A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP42N25P
仓库库存编号:
IXTP42N25P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 62A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 62A(Tc) 350W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP62N15P
仓库库存编号:
IXTP62N15P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
IGBT 300V 223W TO220AB
详细描述:IGBT PT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP42N30C3
仓库库存编号:
IXGP42N30C3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
IGBT 330V TO-220AB
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP70N33TBM-A
仓库库存编号:
IXGP70N33TBM-A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE STANDARD 600V 15A TO220AB
详细描述:Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 15A Through Hole TO-220-3
型号:
VS-HFA30TA60CHN3
仓库库存编号:
VS-HFA30TA60CHN3-ND
别名:VSHFA30TA60CHN3
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 8A 40W TO220AB
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP4N100
仓库库存编号:
IXGP4N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 24A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 480W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP460P2
仓库库存编号:
IXTP460P2-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
IGBT 900V 20A 125W TO220
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
IXYP8N90C3D1
仓库库存编号:
IXYP8N90C3D1-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 50A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 360W(Tc) TO-220AB
型号:
IXTP50N20P
仓库库存编号:
IXTP50N20P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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Texas Instruments
MOSFET N-CH 60V 200A TO-220-3
详细描述:通孔 N 沟道 200A(Ta) 375W(Tc) TO-220-3
型号:
CSD18536KCS
仓库库存编号:
CSD18536KCS-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
含铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 7A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 7A(Tc) 200W(Tc) TO-220AB
型号:
IXFP7N80P
仓库库存编号:
IXFP7N80P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 180A 100V TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Ta) 2.1W(Ta),200W(Tc) TO-220-3
型号:
NDPL180N10BG
仓库库存编号:
NDPL180N10BGOS-ND
别名:NDPL180N10BGOS
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) TO-220AB
型号:
IXKP13N60C5
仓库库存编号:
IXKP13N60C5-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 24A 100W TO220AB
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP12N100
仓库库存编号:
IXGP12N100-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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IXYS
IGBT 1000V 24A 100W TO220AB
详细描述:IGBT Through Hole TO-220AB
型号:
IXGP12N100A
仓库库存编号:
IXGP12N100A-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 16A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 16A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP16N50C-E3
仓库库存编号:
SIHP16N50C-E3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
详细描述:通孔 N 沟道 24A(Tc) 250W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP24N65EF-GE3
仓库库存编号:
SIHP24N65EF-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:封装/外壳 TO-220-3,
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