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产品规格

封装/外壳	TO-220-3
制造商	IXYS
安装类型	通孔
工作温度	-
系列	GenX3?，XPT?
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-220AB
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	114ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	900V
Power - Max	125W
Current - Collector (Ic) (Max)	20A
测试条件	450V，8A，30 欧姆，15V
开关能量	460μJ（开），180μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	48A
IGBT 类型	-
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.5V @ 15V，8A
25°C 时 Td（开/关）值	16ns/40ns
栅极电荷	13.3nC
关键词

产品资料

标准包装	50

封装/外壳 TO-220-3  IXYS 封装/外壳 TO-220-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -  IXYS 工作温度 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -   系列 GenX3?，XPT?  IXYS 系列 GenX3?，XPT?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 GenX3?，XPT?  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 GenX3?，XPT?   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-220AB  IXYS 供应商器件封装 TO-220AB  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220AB   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 114ns  IXYS 反向恢复时间（trr） 114ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 114ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 114ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V   Power - Max 125W  IXYS Power - Max 125W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 125W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 125W   Current - Collector (Ic) (Max) 20A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 20A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 20A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 20A   测试条件 450V，8A，30 欧姆，15V  IXYS 测试条件 450V，8A，30 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 450V，8A，30 欧姆，15V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 450V，8A，30 欧姆，15V   开关能量 460μJ（开），180μJ（关）  IXYS 开关能量 460μJ（开），180μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 460μJ（开），180μJ（关）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 460μJ（开），180μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 48A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 48A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 48A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 48A   IGBT 类型 -  IXYS IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，8A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，8A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，8A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.5V @ 15V，8A   25°C 时 Td（开/关）值 16ns/40ns  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 16ns/40ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 16ns/40ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 16ns/40ns   栅极电荷 13.3nC  IXYS 栅极电荷 13.3nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 13.3nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 13.3nC