以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Renesas Electronics America
  MOSFET N-CH 100V 15A 5LFPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 15A（Ta） 15W（Tc） LFPAK
  
  型号：HAT2175H-EL-E
  仓库库存编号：HAT2175H-EL-E-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Fairchild/ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 10A（Tc） 49W（Tc） TO-252AA
  
  型号：HUFA76609D3ST
  仓库库存编号：HUFA76609D3STCT-ND
  别名：HUFA76609D3STCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 320A（Tc） 680W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXTN320N10T
  仓库库存编号：IXTN320N10T-ND
  别名：IXTH320N10T
  Q3347867
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 70A Surface Mount ISOPLUS-DIL?
  
  型号：GWM70-01P2
  仓库库存编号：GWM70-01P2-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 60A（Tc） 120W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXFC110N10P
  仓库库存编号：IXFC110N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 110A（Tc） 480W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXFV110N10P
  仓库库存编号：IXFV110N10P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 110A PLUS220-S
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 110A（Tc） 480W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXFV110N10PS
  仓库库存编号：IXFV110N10PS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 230W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
  
  型号：IXTA80N10T7
  仓库库存编号：IXTA80N10T7-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 83A（Tc） 140W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC160N10T
  仓库库存编号：IXTC160N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 90A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 90A（Tc） 150W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC180N10T
  仓库库存编号：IXTC180N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 101A（Tc） 160W（Tc） ISOPLUS220?
  
  型号：IXTC200N10T
  仓库库存编号：IXTC200N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 250A TO-264AA
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 250A（Tc） 730W（Tc） TO-264（IXTK）
  
  型号：IXTK250N10
  仓库库存编号：IXTK250N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 44A TO-251
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 44A（Tc） TO-251
  
  型号：IXTU44N10T
  仓库库存编号：IXTU44N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 200A（Tc） 550W（Tc） PLUS220
  
  型号：IXTV200N10T
  仓库库存编号：IXTV200N10T-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 200A PLUS220SMD
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 200A（Tc） 550W（Tc） PLUS-220SMD
  
  型号：IXTV200N10TS
  仓库库存编号：IXTV200N10TS-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 280A（Tc） 770W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXUN280N10
  仓库库存编号：IXUN280N10-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET 2N-CH 100V 1000A Y3-LI
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 1000A Chassis Mount Y3-Li
  
  型号：VMM1000-01P
  仓库库存编号：VMM1000-01P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 165A ECO-PAC2
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 165A（Tc） 400W（Tc） ECO-PAC2
  
  型号：VMO150-01P1
  仓库库存编号：VMO150-01P1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
  详细描述：Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 100V 210A Through Hole V2-PAK
  
  型号：VWM200-01P
  仓库库存编号：VWM200-01P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 4.8A（Ta） 1.8W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4484EY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4484EY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4484EY-T1-E3CT
  SI4484EYT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 5.4A（Ta） 1.8W（Ta） 8-SO
  
  型号：SI4486EY-T1-E3
  仓库库存编号：SI4486EY-T1-E3CT-ND
  别名：SI4486EY-T1-E3CT
  SI4486EYT1E3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 40A（Tc） 3.75W（Ta），107W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM40N10-30-E3
  仓库库存编号：SUM40N10-30-E3CT-ND
  别名：SUM40N10-30-E3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 3.75W（Ta），136W（Tc） TO-263（D2Pak）
  
  型号：SUM47N10-24L-E3
  仓库库存编号：SUM47N10-24L-E3CT-ND
  别名：SUM47N10-24L-E3CT
  SUM47N1024LE3
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• IXYS
  MOSFET N-CH 100V 350A SOT-227B
  详细描述：底座安装 N 沟道 100V 350A（Tc） 830W（Tc） SOT-227B
  
  型号：IXUN350N10
  仓库库存编号：IXUN350N10-ND
  别名：Q3672970
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• ON Semiconductor
  MOSFET N-CH 100V 12A IPAK
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 12A（Ta） 1.28W（Ta），56.6W（Tc） I-Pak
  
  型号：NTD6600N-1G
  仓库库存编号：NTD6600N-1G-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 100V,
• 
  
  无铅
• 搜索