产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
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IXYS
MOSFET N-CH 300V ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 300V ISOPLUS247?
型号:
IXFR52N30Q
仓库库存编号:
IXFR52N30Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 48A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 48A(Tc) 370W(Tc) TO-247 [B]
型号:
APT30M70BVFRG
仓库库存编号:
APT30M70BVFRG-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 52A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 52A(Tc) 360W(Tc) TO-268
型号:
IXFT52N30Q
仓库库存编号:
IXFT52N30Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 73A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 73A(Tc) 500W(Tc) PLUS247?-3
型号:
IXFX73N30Q
仓库库存编号:
IXFX73N30Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 73A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 300V 73A(Tc) 500W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK73N30
仓库库存编号:
IXFK73N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 73A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 300V 73A(Tc) 500W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK73N30Q
仓库库存编号:
IXFK73N30Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 70A TO-268
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 70A(Tc) 830W(Tc) TO-268
型号:
IXFT70N30Q3
仓库库存编号:
IXFT70N30Q3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 75A ISOPLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 300V 75A(Tc) 417W(Tc) ISOPLUS247?
型号:
IXFR90N30
仓库库存编号:
IXFR90N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 110A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 300V 110A(Tc) 730W(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK110N30
仓库库存编号:
IXTK110N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 90A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 300V 90A(Tc) 560W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:
IXFK90N30
仓库库存编号:
IXFK90N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 140A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 300V 140A(Tc) TO-264(IXTK)
型号:
IXTK140N30P
仓库库存编号:
IXTK140N30P-ND
别名:Q4597844
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 88A SOT227B
详细描述:底座安装 N 沟道 300V 88A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN102N30P
仓库库存编号:
IXFN102N30P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 300V 170A(Tc) 1250W(Tc) PLUS264?
型号:
IXFB170N30P
仓库库存编号:
IXFB170N30P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 300V 66A(Tc) 400W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFE73N30Q
仓库库存编号:
IXFE73N30Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 108A MMIX
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 108A(Tc) 24-SMPD
型号:
MMIX1F210N30P3
仓库库存编号:
MMIX1F210N30P3-ND
别名:Q7717170
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 73A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 300V 73A(Tc) 481W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN73N30Q
仓库库存编号:
IXFN73N30Q-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 90A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 300V 90A(Tc) 560W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN90N30
仓库库存编号:
IXFN90N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 300V 70A(Tc) 450W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT30M40JVR
仓库库存编号:
APT30M40JVR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 138A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 300V 138A(Tc) 890W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN170N30P
仓库库存编号:
IXFN170N30P-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 102A SMPD
详细描述:表面贴装 N 沟道 300V 102A(Tc) 570W(Tc) SMPD
型号:
MMIX1F160N30T
仓库库存编号:
MMIX1F160N30T-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 70A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 300V 70A(Tc) 450W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT30M40JVFR
仓库库存编号:
APT30M40JVFR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B
详细描述:底座安装 N 沟道 300V 130A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:
IXFN130N30
仓库库存编号:
IXFN130N30-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 300V 130A(Tc) 700W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT30M19JVR
仓库库存编号:
APT30M19JVR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 300V 130A(Tc) 700W(Tc) ISOTOP?
型号:
APT30M19JVFR
仓库库存编号:
APT30M19JVFR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
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IXYS
MOSFET 2N-CH 300V 290A Y3-DCB
详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 300V 290A 1500W Chassis Mount Y3-DCB
型号:
VMM300-03F
仓库库存编号:
VMM300-03F-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:漏源电压(Vdss) 300V,
无铅
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