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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM500P02CX RFG
  仓库库存编号：TSM500P02CX RFGCT-ND
  别名：TSM500P02CX RFGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM500P02CX RFG
  仓库库存编号：TSM500P02CX RFGDKR-ND
  别名：TSM500P02CX RFGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 1A XQFN3
  详细描述：表面贴装 P 沟道 1A（Ta） 360mW（Ta），3.125W（Tc） DFN1006-3
  
  型号：PMZ350UPEYL
  仓库库存编号：1727-2320-1-ND
  别名：1727-2320-1
  568-12606-1
  568-12606-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM210N02CX RFG
  仓库库存编号：TSM210N02CX RFGTR-ND
  别名：TSM210N02CX RFGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM210N02CX RFG
  仓库库存编号：TSM210N02CX RFGCT-ND
  别名：TSM210N02CX RFGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 6.7A（Tc） 1.56W（Tc） SOT-23
  
  型号：TSM210N02CX RFG
  仓库库存编号：TSM210N02CX RFGDKR-ND
  别名：TSM210N02CX RFGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET 2N-CH 20V SC89-6
  详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 610mA (Ta) 220mW Surface Mount
  
  型号：SI1034CX-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1034CX-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1034CX-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Tc） 3.6W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3493DDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3493DDV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3493DDV-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 2.7A 4-MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 2.7A（Tc） 900mW（Tc） 4-MICRO FOOT?（0.8x0.8）
  
  型号：SI8823EDB-T2-E1
  仓库库存编号：SI8823EDB-T2-E1CT-ND
  别名：SI8823EDB-T2-E1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET N/P-CH 20V SOT666
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 800mA, 550mA 500mW Surface Mount SOT-666
  
  型号：PMDT290UCE,115
  仓库库存编号：1727-1332-1-ND
  别名：1727-1332-1
  568-10765-1
  568-10765-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
  详细描述：表面贴装 N 沟道 4A（Tc） 1.56W（Ta），2.8W（Tc）
  
  型号：SI1424EDH-T1-GE3
  仓库库存编号：SI1424EDH-T1-GE3CT-ND
  别名：SI1424EDH-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Ta） 2W（Ta） SOT-26
  
  型号：TSM3443CX6 RFG
  仓库库存编号：TSM3443CX6 RFGTR-ND
  别名：TSM3443CX6 RFGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Ta） 2W（Ta） SOT-26
  
  型号：TSM3443CX6 RFG
  仓库库存编号：TSM3443CX6 RFGCT-ND
  别名：TSM3443CX6 RFGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, P-CHANNEL, -20V,
  详细描述：表面贴装 P 沟道 4.7A（Ta） 2W（Ta） SOT-26
  
  型号：TSM3443CX6 RFG
  仓库库存编号：TSM3443CX6 RFGDKR-ND
  别名：TSM3443CX6 RFGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Tc） 2W（Ta） SOT-26
  
  型号：TSM3446CX6 RKG
  仓库库存编号：TSM3446CX6 RKGTR-ND
  别名：TSM3446CX6 RFG
  TSM3446CX6 RFGTR
  TSM3446CX6 RFGTR-ND
  TSM3446CX6 RKGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Tc） 2W（Ta） SOT-26
  
  型号：TSM3446CX6 RKG
  仓库库存编号：TSM3446CX6 RKGCT-ND
  别名：TSM3446CX6 RFGCT
  TSM3446CX6 RFGCT-ND
  TSM3446CX6 RKGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
  详细描述：表面贴装 N 沟道 5.3A（Tc） 2W（Ta） SOT-26
  
  型号：TSM3446CX6 RKG
  仓库库存编号：TSM3446CX6 RKGDKR-ND
  别名：TSM3446CX6 RFGDKR
  TSM3446CX6 RFGDKR-ND
  TSM3446CX6 RKGDKR
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CHAN 20V TSOP6S
  详细描述：表面贴装 P 沟道 8A（Ta），8A（Tc） 4.2W（Tc） 6-TSOP
  
  型号：SI3429EDV-T1-GE3
  仓库库存编号：SI3429EDV-T1-GE3CT-ND
  别名：SI3429EDV-T1-GE3CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 7.2A SOT1220
  详细描述：表面贴装 P 沟道 7.2A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 6-DFN2020MD（2x2）
  
  型号：PMPB20XPE,115
  仓库库存编号：1727-1368-1-ND
  别名：1727-1368-1
  568-10817-1
  568-10817-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Nexperia USA Inc.
  PMPB23XNE/SOT1220/REEL 7" Q1/T
  详细描述：表面贴装 N 沟道 7A（Ta） 1.7W（Ta） 6-DFN2020MD（2x2）
  
  型号：PMPB23XNEZ
  仓库库存编号：1727-2736-1-ND
  别名：1727-2736-1
  568-13300-1
  568-13300-1-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Nexperia USA Inc.
  MOSFET P-CH 20V 5A 6DFN
  详细描述：表面贴装 P 沟道 5A（Ta） 1.7W（Ta），12.5W（Tc） 6-DFN2020MD（2x2）
  
  型号：PMPB29XPE,115
  仓库库存编号：1727-1372-1-ND
  别名：1727-1372-1
  568-10821-1
  568-10821-1-ND
  
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• Vishay Siliconix
  MOSFET P-CH 20V 9.7A 4-MICROFOOT
  详细描述：表面贴装 P 沟道 9.7A（Tc） 2.8W（Tc） 4-MICRO FOOT?（1.6x1.6）
  
  型号：SI8481DB-T1-E1
  仓库库存编号：SI8481DB-T1-E1CT-ND
  别名：SI8481DB-T1-E1CT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, COMPLEMENTARY, N-CHANNEL
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 11.6A (Tc), 9A (Tc) 6.25W Surface Mount 6-TDFN (2x2)
  
  型号：TSM2537CQ RFG
  仓库库存编号：TSM2537CQ RFGTR-ND
  别名：TSM2537CQ RFGTR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, COMPLEMENTARY, N-CHANNEL
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 11.6A (Tc), 9A (Tc) 6.25W Surface Mount 6-TDFN (2x2)
  
  型号：TSM2537CQ RFG
  仓库库存编号：TSM2537CQ RFGCT-ND
  别名：TSM2537CQ RFGCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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• Taiwan Semiconductor Corporation
  MOSFET, COMPLEMENTARY, N-CHANNEL
  详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 20V 11.6A (Tc), 9A (Tc) 6.25W Surface Mount 6-TDFN (2x2)
  
  型号：TSM2537CQ RFG
  仓库库存编号：TSM2537CQ RFGDKR-ND
  别名：TSM2537CQ RFGDKR
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：漏源电压（Vdss） 20V,
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