TSM210N02CX RFG,Taiwan Semiconductor Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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TSM210N02CX RFG
TSM210N02CX RFG -
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
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声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation
制造商产品编号:
TSM210N02CX RFG
仓库库存编号:
TSM210N02CX RFGDKR-ND
描述:
MOSFET, SINGLE, N-CHANNEL, TRENC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 6.7A(Tc) 1.56W(Tc) SOT-23
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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TSM210N02CX RFG产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
-Reel?
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-23
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±10V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
4nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
25 毫欧 @ 4A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
6.7A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
600pF @ 10V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250μA
功率耗散(最大值)
1.56W(Tc)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
TSM210N02CX
标准包装
1
其它名称
TSM210N02CX RFGDKR
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Taiwan Semiconductor Corporation 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
Taiwan Semiconductor Corporation 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Taiwan Semiconductor Corporation
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安装类型 表面贴装
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工作温度 150°C(TJ)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 -Reel?
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零件状态 在售
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供应商器件封装 SOT-23
Taiwan Semiconductor Corporation 供应商器件封装 SOT-23
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SOT-23
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技术 MOSFET(金属氧化物)
Taiwan Semiconductor Corporation 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±10V
Taiwan Semiconductor Corporation Vgs(最大值) ±10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±10V
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±10V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 4.5V
Taiwan Semiconductor Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 4.5V
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 4A,4.5V
Taiwan Semiconductor Corporation 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 4A,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 4A,4.5V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 1.8V,4.5V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 6.7A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 10V
Taiwan Semiconductor Corporation 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 600pF @ 10V
FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 800mV @ 250μA
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功率耗散(最大值) 1.56W(Tc)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 1.56W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 20V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
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