产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 215W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S208AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N06S208AKSA1-ND
别名:IPI80N06S2-08
IPI80N06S2-08-ND
SP000218828
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S2L05AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N06S2L05AKSA1-ND
别名:IPI80N06S2L-05
IPI80N06S2L-05-ND
SP000219002
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S2L11AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N06S2L11AKSA1-ND
别名:IPI80N06S2L-11
IPI80N06S2L-11-ND
SP000218176
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 80V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP070N08N3 G
仓库库存编号:
IPP070N08N3 G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP70N04S307AKSA1
仓库库存编号:
IPP70N04S307AKSA1-ND
别名:IPP70N04S3-07
IPP70N04S3-07-ND
SP000279559
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 30V 80A(Tc) 94W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N03S4L04AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N03S4L04AKSA1-ND
别名:IPP80N03S4L-04
IPP80N03S4L-04-ND
SP000274981
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S204AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N04S204AKSA1-ND
别名:IPP80N04S2-04
IPP80N04S2-04-ND
SP000219054
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S2H4AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N04S2H4AKSA1-ND
别名:IPP80N04S2-H4
IPP80N04S2-H4-ND
SP000218169
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S2L03AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N04S2L03AKSA1-ND
别名:IPP80N04S2L-03
IPP80N04S2L-03-ND
SP000219063
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S3-04
仓库库存编号:
IPP80N04S3-04-ND
别名:IPP80N04S304
IPP80N04S304AKSA1
SP000261230
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 100W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S306AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N04S306AKSA1-ND
别名:IPP80N04S3-06
IPP80N04S3-06-ND
IPP80N04S306
SP000261233
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S205AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S205AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2-05
IPP80N06S2-05-ND
SP000218873
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S207AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S207AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2-07
IPP80N06S2-07-ND
SP000218810
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
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MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 215W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S208AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S208AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2-08
IPP80N06S2-08-ND
SP000218826
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S209AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S209AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2-09
IPP80N06S2-09-ND
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产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
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MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2H5AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S2H5AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2-H5
IPP80N06S2-H5-ND
SP000218155
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
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MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 250W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L06AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S2L06AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2L-06
IPP80N06S2L-06-ND
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产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L09AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S2L09AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2L-09
IPP80N06S2L-09-ND
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产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2L11AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S2L11AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2L-11
IPP80N06S2L-11-ND
SP000218175
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 300W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S2LH5AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S2LH5AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2L-H5
IPP80N06S2L-H5-ND
SP000219067
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB70N04S3-07
仓库库存编号:
IPB70N04S3-07CT-ND
别名:IPB70N04S3-07CT
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S405ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S405ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S4-05
IPB80N06S4-05-ND
SP000415566
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S407ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S407ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S4-07
IPB80N06S4-07-ND
SP000415568
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 107W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S4L05ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S4L05ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S4L-05
IPB80N06S4L-05-ND
SP000415570
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 60V 80A(Tc) 79W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S4L07ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S4L07ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S4L-07
IPB80N06S4L-07-ND
SP000415572
产品分类:分立半导体产品,规格:电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc),
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