产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N04S2L-03
仓库库存编号：
SPP80N04S2L-03-ND
别名：SP000012472
SPP80N04S2L03
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N06S2-05
仓库库存编号：
SPP80N06S2-05-ND
别名：SP000012473
SPP80N06S205
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N06S2-07
仓库库存编号：
SPP80N06S2-07-ND
别名：SP000013579
SPP80N06S207
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 215W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N06S2-08
仓库库存编号：
SPP80N06S2-08-ND
别名：SP000012822
SPP80N06S208
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N06S2-09
仓库库存编号：
SPP80N06S2-09-ND
别名：SP000013583
SPP80N06S209
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N06S2-H5
仓库库存编号：
SPP80N06S2-H5-ND
别名：SP000014000
SPP80N06S2H5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N06S2L-05
仓库库存编号：
SPP80N06S2L-05-ND
别名：SP000012474
SPP80N06S2L05
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N06S2L-06
仓库库存编号：
SPP80N06S2L-06-ND
别名：SP000013576
SPP80N06S2L06
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N06S2L-07
仓库库存编号：
SPP80N06S2L-07-ND
别名：SP000012823
SPP80N06S2L07
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N06S2L-09
仓库库存编号：
SPP80N06S2L-09-ND
别名：SP000013580
SPP80N06S2L09
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N06S2L-11
仓库库存编号：
SPP80N06S2L-11-ND
别名：SP000013584
SPP80N06S2L11
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N06S2L-H5
仓库库存编号：
SPP80N06S2L-H5-ND
别名：SP000014001
SPP80N06S2LH5
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N08S2-07
仓库库存编号：
SPP80N08S2-07-ND
别名：SP000012475
SPP80N08S207
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N08S2L-07
仓库库存编号：
SPP80N08S2L-07-ND
别名：SP000012476
SPP80N08S2L07
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
SPP80N10L
仓库库存编号：
SPP80N10L-ND
别名：SP000014349
SPP80N10LX
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB03N03LA G
仓库库存编号：
IPB03N03LAGINCT-ND
别名：IPB03N03LAG
IPB03N03LAGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 25V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB04N03LA G
仓库库存编号：
IPB04N03LAGINCT-ND
别名：IPB04N03LAG
IPB04N03LAGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB05N03LB G
仓库库存编号：
IPB05N03LBGINCT-ND
别名：IPB05N03LBG
IPB05N03LBGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 214W（Tc） PG-TO263-3
型号：
IPB070N06L G
仓库库存编号：
IPB070N06LGINCT-ND
别名：IPB070N06LG
IPB070N06LGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB085N06L G
仓库库存编号：
IPB085N06LGINCT-ND
别名：IPB085N06LG
IPB085N06LGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 165W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S3L-05
仓库库存编号：
IPB80N06S3L-05INCT-ND
别名：IPB80N06S3L-05INCT
IPB80N06S3L05
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 136W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S3L-06
仓库库存编号：
IPB80N06S3L-06INCT-ND
别名：IPB80N06S3L-06INCT
IPB80N06S3L06
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
SPB80N10L G
仓库库存编号：
SPB80N10LGINCT-ND
别名：SPB80N10LG
SPB80N10LGINCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S204ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S204ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S2-04
IPB80N04S2-04-ND
SP000218154
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N04S2H4ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N04S2H4ATMA1TR-ND
别名：IPB80N04S2-H4
IPB80N04S2-H4-ND
SP000218165
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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