产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 80A（Tc） 75W（Tc） DPAK
型号：
NTD80N02T4
仓库库存编号：
NTD80N02T4OSCT-ND
别名：NTD80N02T4OSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
含铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
详细描述：通孔 N 沟道 24V 80A（Tc） 75W（Tc） I-Pak
型号：
NTD80N02-1G
仓库库存编号：
NTD80N02-1GOS-ND
别名：NTD80N02-1GOS
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 75V 80A TO-262AB
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 310W（Tc） I2PAK（TO-262）
型号：
FDI047AN08A0
仓库库存编号：
FDI047AN08A0-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A TO-263-7
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） 230W（Tc） TO-263-7（IXTA..7）
型号：
IXTA80N10T7
仓库库存编号：
IXTA80N10T7-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 268W（Tc） TO-220
型号：
AOT430
仓库库存编号：
785-1145-2-ND
别名：785-1145-2
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 60V 80A（Tc） 166W（Tc） D2PAK
型号：
NTB5411NT4G
仓库库存编号：
NTB5411NT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220AB
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 166W（Tc） TO-220AB
型号：
NTP5411NG
仓库库存编号：
NTP5411NG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 80V 80A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXFC80N08
仓库库存编号：
IXFC80N08-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 80A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 85V 80A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXFC80N085
仓库库存编号：
IXFC80N085-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A ISOPLUS220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 230W（Tc） ISOPLUS220?
型号：
IXFC80N10
仓库库存编号：
IXFC80N10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 60V 80A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH80N06
仓库库存编号：
IXFH80N06-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 80V 80A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 80V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH80N08
仓库库存编号：
IXFH80N08-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 85V 80A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 85V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH80N085
仓库库存编号：
IXFH80N085-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 100V 80A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：
IXFH80N10
仓库库存编号：
IXFH80N10-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 150V 80A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 150V 80A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT80N15Q
仓库库存编号：
IXFT80N15Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 280V 80A TO-3P
详细描述：通孔 N 沟道 280V 80A（Tc） 500W（Tc） TO-3P
型号：
IXTQ80N28T
仓库库存编号：
IXTQ80N28T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 24V 80A（Tc） 75W（Tc） DPAK
型号：
NTD80N02T4G
仓库库存编号：
NTD80N02T4GOSCT-ND
别名：NTD80N02T4GOSCT
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） D2PAK
型号：
NTB6448ANG
仓库库存编号：
NTB6448ANG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 100V 80A（Tc） D2PAK
型号：
NTB6448ANT4G
仓库库存编号：
NTB6448ANT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） TO-220AB
型号：
NTP6448ANG
仓库库存编号：
NTP6448ANG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 40V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 80A（Tc） 1.8W（Ta），120W（Tc） TO-263
型号：
NP80N04KHE-E1-AY
仓库库存编号：
NP80N04KHE-E1-AY-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 80A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 1.8W（Ta），120W（Tc） TO-263
型号：
NP80N055KLE-E1-AY
仓库库存编号：
NP80N055KLE-E1-AY-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 1.8W（Ta），120W（Tc） TO-220-3
型号：
NP80N055MHE-S18-AY
仓库库存编号：
NP80N055MHE-S18-AY-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 1.8W（Ta），115W（Tc） TO-262
型号：
NP80N055NDG-S18-AY
仓库库存编号：
NP80N055NDG-S18-AY-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 60V 80A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 60V 80A（Tc） 1.8W（Ta），115W（Tc） TO-220-3
型号：
NP80N06MLG-S18-AY
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NP80N06MLG-S18-AY-ND
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