产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
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Renesas Electronics America
MOSFET N-CH 55V 32A TO-252
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 1.2W（Ta），66W（Tc） TO-252（MP-3ZK）
型号：
NP32N055SLE-E1-AY
仓库库存编号：
NP32N055SLE-E1-AY-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 100V 34A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 100W（Tc） DPAK
型号：
NVD6414ANT4G-VF01
仓库库存编号：
NVD6414ANT4G-VF01-ND
别名：NVD6414ANT4G
NVD6414ANT4G-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 32A（Tc） 7.1W（Tc） 8-SOIC
型号：
SQ4182EY-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ4182EY-T1_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
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Vishay Siliconix
P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 P 沟道 12V 32A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ401EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ401EP-T1_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
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Vishay Siliconix
N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ410EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ410EP-T1_GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 32A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 32A（Tc） 83W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA32P05T
仓库库存编号：
IXTA32P05T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 32A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 32A（Tc） 200W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP32N20T
仓库库存编号：
IXTP32N20T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 200V 32A TO-263
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 200W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA32N20T
仓库库存编号：
IXTA32N20T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 50V 32A TO-252
详细描述：表面贴装 P 沟道 32A（Tc） 83W（Tc） TO-252
型号：
IXTY32P05T
仓库库存编号：
IXTY32P05T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8
详细描述：表面贴装 N 沟道 32A（Tc） 83W（Tc） PowerPAK? SO-8
型号：
SQJ456EP-T1_GE3
仓库库存编号：
SQJ456EP-T1_GE3-ND
别名：SQJ456EP-T1-GE3
SQJ456EP-T1-GE3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 32A TO-220
详细描述：通孔 P 沟道 32A（Tc） 300W（Tc） TO-220AB
型号：
IXTP32P20T
仓库库存编号：
IXTP32P20T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 32A TO-263
详细描述：表面贴装 P 沟道 32A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）
型号：
IXTA32P20T
仓库库存编号：
IXTA32P20T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 32A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 32A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：
IXTH32P20T
仓库库存编号：
IXTH32P20T-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 800V 32A（Tc） 830W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX32N80P
仓库库存编号：
IXFX32N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 800V 32A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 800V 32A（Tc） 830W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK32N80P
仓库库存编号：
IXFK32N80P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 32A（Tc） 300W（Tc） ISOPLUS247?
型号：
IXFR48N60P
仓库库存编号：
IXFR48N60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 32A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 32A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT32N50Q
仓库库存编号：
IXFT32N50Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 32A TO-268
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 32A（Tc） 360W（Tc） TO-268
型号：
IXFT32N50
仓库库存编号：
IXFT32N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 32A（Tc） 416W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX32N50Q
仓库库存编号：
IXFX32N50Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 32A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 500V 32A（Tc） 416W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK32N50Q
仓库库存编号：
IXFK32N50Q-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
无铅
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 32A（Tc） 360W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX32N50
仓库库存编号：
IXFX32N50-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 32A TO-264
详细描述：通孔 P 沟道 600V 32A（Tc） 890W（Tc） TO-264（IXTK）
型号：
IXTK32P60P
仓库库存编号：
IXTK32P60P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247
详细描述：通孔 N 沟道 900V 32A（Tc） 960W（Tc） PLUS247?-3
型号：
IXFX32N90P
仓库库存编号：
IXFX32N90P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 900V 32A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 900V 32A（Tc） 960W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK32N90P
仓库库存编号：
IXFK32N90P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
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IXYS
MOSFET N-CH 1000V 32A TO-264
详细描述：通孔 N 沟道 1000V 32A（Tc） 960W（Tc） TO-264AA（IXFK）
型号：
IXFK32N100P
仓库库存编号：
IXFK32N100P-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 32A（Tc）,
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