IXFT32N50,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXFT32N50
IXFT32N50 -
MOSFET N-CH 500V 32A TO-268
零件状态:过时;购买截止日期:05-31-2018。可能有最低购买数量。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXFT32N50
仓库库存编号:
IXFT32N50-ND
描述:
MOSFET N-CH 500V 32A TO-268
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 500V 32A(Tc) 360W(Tc) TO-268
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IXFT32N50产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
制造商
IXYS
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
HiPerFET??
包装
管件
零件状态
上次购买时间
供应商器件封装
TO-268
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
300nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
150 毫欧 @ 15A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
32A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
5700pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 4mA
功率耗散(最大值)
360W(Tc)
漏源电压(Vdss)
500V
关键词
产品资料
数据列表
IXFH/IXFT(30,32)N50
标准包装
30
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封装/外壳 TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
制造商 IXYS
IXYS 制造商 IXYS
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 IXYS
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 IXYS
安装类型 表面贴装
IXYS 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 HiPerFET??
IXYS 系列 HiPerFET??
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 HiPerFET??
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包装 管件
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
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零件状态 上次购买时间
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供应商器件封装 TO-268
IXYS 供应商器件封装 TO-268
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-268
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-268
技术 MOSFET(金属氧化物)
IXYS 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
IXYS Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 300nC @ 10V
IXYS 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 300nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 300nC @ 10V
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 300nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 150 毫欧 @ 15A,10V
IXYS 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 150 毫欧 @ 15A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
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FET 类型 N 沟道
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 32A(Tc)
IXYS 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 32A(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 32A(Tc)
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 32A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5700pF @ 25V
IXYS 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5700pF @ 25V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5700pF @ 25V
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5700pF @ 25V
FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 4mA
IXYS 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 4mA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 4mA
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 4mA
功率耗散(最大值) 360W(Tc)
IXYS 功率耗散(最大值) 360W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 360W(Tc)
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 360W(Tc)
漏源电压(Vdss) 500V
IXYS 漏源电压(Vdss) 500V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 500V
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