产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
专业代理销售st（意法）全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索：
热门搜索词：
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
分立半导体产品
(6432)
晶体管 - FET，MOSFET - 单
(6432)
筛选品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.(477)
Central Semiconductor Corp(6)
Comchip Technology(2)
Diodes Incorporated(429)
Fairchild/ON Semiconductor(638)
Infineon Technologies(1735)
Micro Commercial Co(1)
Microchip Technology(52)
Nexperia USA Inc.(234)
NXP USA Inc.(145)
ON Semiconductor(760)
Panasonic Electronic Components(19)
Renesas Electronics America(111)
Rohm Semiconductor(56)
Sanken(72)
STMicroelectronics(165)
Taiwan Semiconductor Corporation(231)
Texas Instruments(85)
Torex Semiconductor Ltd(4)
Toshiba Semiconductor and Storage(153)
Vishay Siliconix(1057)
重新选择
规格选型正在加载中...
在结果中搜索词：
以下搜索结果
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
PDF
操作
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L06ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L06ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-06
IPB80N06S2L-06-ND
SP000218163
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L07ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L07ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-07
IPB80N06S2L-07-ND
SP000218867
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L09ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L09ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-09
IPB80N06S2L-09-ND
SP000218743
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L11ATMA1
仓库库存编号：
IPB80N06S2L11ATMA1TR-ND
别名：IPB80N06S2L-11
IPB80N06S2L-11-ND
SP000218177
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2
型号：
IPB80N06S2L-H5
仓库库存编号：
IPB80N06S2L-H5-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD088N04LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD088N04LGBTMA1TR-ND
别名：IPD088N04L G
IPD088N04L G-ND
SP000354798
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 40A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 40A（Tc） 42W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD105N04LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD105N04LGBTMA1TR-ND
别名：IPD105N04L G
IPD105N04L G-ND
SP000354796
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 19A（Tc） 47W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD15N06S2L64ATMA1
仓库库存编号：
IPD15N06S2L64ATMA1TR-ND
别名：IPD15N06S2L-64
IPD15N06S2L-64-ND
SP000252162
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 40V 30A（Tc） 31W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD160N04LGBTMA1
仓库库存编号：
IPD160N04LGBTMA1TR-ND
别名：IPD160N04L G
IPD160N04L G-ND
SP000387933
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 30A（Tc） 68W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD26N06S2L35ATMA1
仓库库存编号：
IPD26N06S2L35ATMA1TR-ND
别名：IPD26N06S2L-35
IPD26N06S2L-35-ND
SP000252165
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD30N03S2L07ATMA1
仓库库存编号：
IPD30N03S2L07ATMA1TR-ND
别名：IPD30N03S2L-07
IPD30N03S2L-07-ND
SP000254463
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
详细描述：表面贴装 N 沟道 55V 50A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3
型号：
IPD50N06S2L13ATMA1
仓库库存编号：
IPD50N06S2L13ATMA1TR-ND
别名：IPD50N06S2L-13
IPD50N06S2L-13-ND
SP000252172
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 100A TO262-3
详细描述：通孔 P 沟道 30V 100A（Tc） 200W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI100P03P3L-04
仓库库存编号：
IPI100P03P3L-04-ND
别名：SP000311117
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 22A（Tc） 31W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI22N03S4L15AKSA1
仓库库存编号：
IPI22N03S4L15AKSA1-ND
别名：IPI22N03S4L-15
IPI22N03S4L-15-ND
SP000277016
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 80A TO262-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 94W（Tc） PG-TO262-3
型号：
IPI80N03S4L04AKSA1
仓库库存编号：
IPI80N03S4L04AKSA1-ND
别名：IPI80N03S4L-04
IPI80N03S4L-04-ND
SP000274983
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP05CN10L G
仓库库存编号：
IPP05CN10L G-ND
别名：SP000308801
SP000680812
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 100A（Tc） 214W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP06CN10LGXKSA1
仓库库存编号：
IPP06CN10LGXKSA1-ND
别名：IPP06CN10L G
IPP06CN10L G-ND
SP000308789
SP000680820
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 50A（Tc） 47W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP080N03L G
仓库库存编号：
IPP080N03L G-ND
别名：SP000264166
SP000680836
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 98A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 98A（Tc） 167W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP08CN10L G
仓库库存编号：
IPP08CN10L G-ND
别名：SP000308791
SP000680842
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 40V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N04S2L03AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N04S2L03AKSA1-ND
别名：IPP100N04S2L-03
IPP100N04S2L-03-ND
SP000219062
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 55V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100N06S2L05AKSA1
仓库库存编号：
IPP100N06S2L05AKSA1-ND
别名：IPP100N06S2L-05
IPP100N06S2L-05-ND
SP000218879
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 30V 100A TO220-3
详细描述：通孔 P 沟道 30V 100A（Tc） 200W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP100P03P3L-04
仓库库存编号：
IPP100P03P3L-04-ND
别名：SP000311114
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 22A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 30V 22A（Tc） 31W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP22N03S4L15AKSA1
仓库库存编号：
IPP22N03S4L15AKSA1-ND
别名：IPP22N03S4L-15
IPP22N03S4L-15-ND
SP000275290
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 60V 30A（Tc） 36W（Tc） PG-TO-220-3
型号：
IPP230N06L3 G
仓库库存编号：
IPP230N06L3 G-ND
别名：IPP230N06L3G
IPP230N06L3GXKSA1
SP000453648
SP000680886
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO220-3-1
型号：
IPP47N10SL26AKSA1
仓库库存编号：
IPP47N10SL26AKSA1-ND
别名：IPP47N10SL-26
IPP47N10SL-26-ND
IPP47N10SL26
SP000225707
产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
无铅
搜索
245
246
247
248
249
250
251
252
253
254
邮箱：
sales@szcwdz.com
Q Q：
800152669
手机网站：
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st（意法）简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持：
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号
