以下搜索结果

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 操作

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 100A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP100N08S2-07
  仓库库存编号：SPP100N08S2-07-ND
  别名：SP000013722
  SPP100N08S207
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 10.3A（Tc） 50W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP10N10L
  仓库库存编号：SPP10N10L-ND
  别名：SP000013849
  SPP10N10LX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 47A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 47A（Tc） 175W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP47N10L
  仓库库存编号：SPP47N10L-ND
  别名：SP000012102
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 70A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 70A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP70N10L
  仓库库存编号：SPP70N10LIN-ND
  别名：SP000012103
  SPP70N10L-ND
  SPP70N10LIN
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N03S2L-03
  仓库库存编号：SPP80N03S2L-03-ND
  别名：SP000012469
  SPP80N03S2L03X
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 30V 80A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N03S2L04AKSA1
  仓库库存编号：SPP80N03S2L04AKSA1-ND
  别名：SPP80N03S2L-04
  SPP80N03S2L-04-ND
  SPP80N03S2L04X
  SPP80N03S2L04XK
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 40V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N04S2L-03
  仓库库存编号：SPP80N04S2L-03-ND
  别名：SP000012472
  SPP80N04S2L03
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-05
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-05-ND
  别名：SP000012474
  SPP80N06S2L05
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-06
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-06-ND
  别名：SP000013576
  SPP80N06S2L06
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 210W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-07
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-07-ND
  别名：SP000012823
  SPP80N06S2L07
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 190W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-09
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-09-ND
  别名：SP000013580
  SPP80N06S2L09
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 158W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-11
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-11-ND
  别名：SP000013584
  SPP80N06S2L11
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 55V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N06S2L-H5
  仓库库存编号：SPP80N06S2L-H5-ND
  别名：SP000014001
  SPP80N06S2LH5
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 75V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 75V 80A（Tc） 300W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N08S2L-07
  仓库库存编号：SPP80N08S2L-07-ND
  别名：SP000012476
  SPP80N08S2L07
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 含铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 100V 80A TO-220
  详细描述：通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 250W（Tc） PG-TO220-3-1
  
  型号：SPP80N10L
  仓库库存编号：SPP80N10L-ND
  别名：SP000014349
  SPP80N10LX
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 30A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），104W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC020N025S G
  仓库库存编号：BSC020N025SGINCT-ND
  别名：BSC020N025SG
  BSC020N025SGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 24A（Ta），100A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC029N025S G
  仓库库存编号：BSC029N025SGINCT-ND
  别名：BSC029N025SG
  BSC029N025SGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 25V 89A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 25V 19A（Ta），89A（Tc） 2.8W（Ta），63W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC048N025S G
  仓库库存编号：BSC048N025SGINCT-ND
  别名：BSC048N025SG
  BSC048N025SGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 73A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 17.5A（Ta），73A（Tc） 17.5W（Ta），48W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC059N03S G
  仓库库存编号：BSC059N03SGINCT-ND
  别名：BSC059N03SG
  BSC059N03SGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 30A TDSON-8
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11.9A（Ta），30A（Tc） 2.8W（Ta），43W（Tc） PG-TDSON-8
  
  型号：BSC119N03S G
  仓库库存编号：BSC119N03SGINCT-ND
  别名：BSC119N03SG
  BSC119N03SGINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET P-CH 30V 5.5A TSOP6
  详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 5.5A（Ta） 2W（Ta） PG-TSOP6-6
  
  型号：BSL307SPL6327HTSA1
  仓库库存编号：BSL307SPL6327HTSA1CT-ND
  别名：BSL307SPL6327INCT
  BSL307SPL6327INCT-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 
  
  无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 14A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO052N03S
  仓库库存编号：BSO052N03SINCT-ND
  别名：BSO052N03SINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 12A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 12A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO072N03S
  仓库库存编号：BSO072N03SINCT-ND
  别名：BSO072N03SINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 9A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 9A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO119N03S
  仓库库存编号：BSO119N03SINCT-ND
  别名：BSO119N03SINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索

• 
  
• Infineon Technologies
  MOSFET N-CH 30V 7A 8DSO
  详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 7A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
  
  型号：BSO200N03S
  仓库库存编号：BSO200N03SINCT-ND
  别名：BSO200N03SINCT
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V,
• 无铅
• 搜索