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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 23A TO247AC
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 227W(Tc) TO-247AC
型号:
SIHG23N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHG23N60E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 158 毫欧 @ 12A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 202W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
型号:
SIHH24N65EF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHH24N65EF-T1-GE3CT-ND
别名:SIHH24N65EF-T1-GE3CT
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 158 毫欧 @ 12A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 23A TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 227W(Tc) TO-220AB
型号:
SIHP23N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHP23N60E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 158 毫欧 @ 12A,10V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 23A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 23A(Tc) 35W(Tc) TO-220 整包
型号:
SIHF23N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHF23N60E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 158 毫欧 @ 12A,10V,
无铅
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MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 227W(Tc) D2PAK(TO-263)
型号:
SIHB23N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHB23N60E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 158 毫欧 @ 12A,10V,
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 23A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 600V 23A(Tc) 227W(Tc) TO-247AD
型号:
SIHW23N60E-GE3
仓库库存编号:
SIHW23N60E-GE3-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 158 毫欧 @ 12A,10V,
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