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SIHH24N65EF-T1-GE3
SIHH24N65EF-T1-GE3 -
MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号:
SIHH24N65EF-T1-GE3
仓库库存编号:
SIHH24N65EF-T1-GE3CT-ND
描述:
MOSFET N-CHAN 650V 23A POWERPAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 23A(Tc) 202W(Tc) PowerPAK? 8 x 8
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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SIHH24N65EF-T1-GE3产品属性
产品规格
封装/外壳
8-PowerTDFN
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
PowerPAK? 8 x 8
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
17nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
158 毫欧 @ 12A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
23A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
2780pF @ 100V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
202W(Tc)
漏源电压(Vdss)
650V
关键词
产品资料
数据列表
SIHH24N65EF
标准包装
1
其它名称
SIHH24N65EF-T1-GE3CT
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封装/外壳 8-PowerTDFN
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制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix
安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
Vishay Siliconix 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 PowerPAK? 8 x 8
Vishay Siliconix 供应商器件封装 PowerPAK? 8 x 8
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 PowerPAK? 8 x 8
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 PowerPAK? 8 x 8
技术 MOSFET(金属氧化物)
Vishay Siliconix 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±30V
Vishay Siliconix Vgs(最大值) ±30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V
Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 158 毫欧 @ 12A,10V
Vishay Siliconix 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 158 毫欧 @ 12A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 23A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2780pF @ 100V
Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2780pF @ 100V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2780pF @ 100V
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
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功率耗散(最大值) 202W(Tc)
Vishay Siliconix 功率耗散(最大值) 202W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 202W(Tc)
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漏源电压(Vdss) 650V
Vishay Siliconix 漏源电压(Vdss) 650V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 650V
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