产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3PML
详细描述:通孔 N 沟道 1500V 4A(Ta) 3W(Ta),65W(Tc) TO-3PML
型号:
2SK3748
仓库库存编号:
2SK3748-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET P-CH 60V 38A SMP-FD
详细描述:表面贴装 P 沟道 60V 38A(Ta) 1.65W(Ta),65W(Tc) SMP-FD
型号:
2SJ661-DL-E
仓库库存编号:
2SJ661-DL-E-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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ON Semiconductor
MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 40V 51A(Tc) DPAK
型号:
NTDV5805NT4G
仓库库存编号:
NTDV5805NT4G-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 25V 60A TO252
详细描述:表面贴装 N 沟道 25V 60A(Tc) 2W(Ta),75W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
AOD4128
仓库库存编号:
AOD4128-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Renesas Electronics America
MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
详细描述:表面贴装 P 沟道 30V 14A(Ta) 1.1W(Ta) 8-SOP
型号:
UPA2736GR-E1-AT
仓库库存编号:
UPA2736GR-E1-AT-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 800V 12A(Tc) 337W(Tc) D3Pak
型号:
APT11F80S
仓库库存编号:
APT11F80S-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET NCH 600V 20A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 20A(Tc) 463W(Tc) TO-263(D2Pak)
型号:
AOB20C60PL
仓库库存编号:
785-1718-1-ND
别名:785-1718-1
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
详细描述:通孔 N 沟道 600V 20A(Tc) 50W(Tc) TO-220F
型号:
AOTF20C60P_001
仓库库存编号:
AOTF20C60P_001-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 6.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7241
仓库库存编号:
IRF7241-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 40V 6.2A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 P 沟道 40V 6.2A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF7241TR
仓库库存编号:
IRF7241TR-ND
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2-09
仓库库存编号:
SPB80N06S2-09-ND
别名:SP000013581
SPB80N06S209T
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
SPB80N06S2L-11
仓库库存编号:
SPB80N06S2L-11-ND
别名:SP000013586
SPB80N06S2L11T
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI80N06S2L-11
仓库库存编号:
SPI80N06S2L-11-ND
别名:SP000029960
SPI80N06S2L11
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2-09
仓库库存编号:
SPP80N06S2-09-ND
别名:SP000013583
SPP80N06S209
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP80N06S2L-11
仓库库存编号:
SPP80N06S2L-11-ND
别名:SP000013584
SPP80N06S2L11
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
含铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S209ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S209ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S2-09
IPB80N06S2-09-ND
SP000218741
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO263-3-2
型号:
IPB80N06S2L11ATMA1
仓库库存编号:
IPB80N06S2L11ATMA1TR-ND
别名:IPB80N06S2L-11
IPB80N06S2L-11-ND
SP000218177
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N04S304AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N04S304AKSA1-ND
别名:IPI80N04S3-04
IPI80N04S3-04-ND
SP000261226
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 158W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI80N06S2L11AKSA1
仓库库存编号:
IPI80N06S2L11AKSA1-ND
别名:IPI80N06S2L-11
IPI80N06S2L-11-ND
SP000218176
产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 40V 80A(Tc) 136W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N04S3-04
仓库库存编号:
IPP80N04S3-04-ND
别名:IPP80N04S304
IPP80N04S304AKSA1
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产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 55V 80A(Tc) 190W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
IPP80N06S209AKSA1
仓库库存编号:
IPP80N06S209AKSA1-ND
别名:IPP80N06S2-09
IPP80N06S2-09-ND
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产品分类:分立半导体产品,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 80nC @ 10V,
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MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
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IPP80N06S2L11AKSA1
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别名:IPP80N06S2L-11
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