产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.6A I-PAK
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.6A(Tc) 40W(Tc) IPAK(TO-251)
型号:
IRFU9120NPBF
仓库库存编号:
IRFU9120NPBF-ND
别名:*IRFU9120NPBF
SP001568138
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
型号:
IRF9410PBF
仓库库存编号:
IRF9410PBF-ND
别名:SP001575396
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO252-3
型号:
SPD07N60C3T
仓库库存编号:
SPD07N60C3XTINCT-ND
别名:SPD07N60C3XTINCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO262-3-1
型号:
SPI07N65C3HKSA1
仓库库存编号:
SPI07N65C3HKSA1-ND
别名:SP000014632
SP000680982
SPI07N65C3
SPI07N65C3-ND
SPI07N65C3IN
SPI07N65C3IN-ND
SPI07N65C3X
SPI07N65C3XK
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO220-3-1
型号:
SPP07N65C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP07N65C3HKSA1-ND
别名:SP000014631
SPP07N65C3
SPP07N65C3-ND
SPP07N65C3IN
SPP07N65C3IN-ND
SPP07N65C3X
SPP07N65C3XK
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 5.6A(Ta) 1.8W(Ta) Micro8?
型号:
IRF7603TRPBF
仓库库存编号:
IRF7603TRPBFCT-ND
别名:IRF7603TRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) D2PAK
型号:
IRF9520NSPBF
仓库库存编号:
IRF9520NSPBF-ND
别名:SP001551696
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 100V 6.6A(Ta) D-Pak
型号:
IRFR9120NCPBF
仓库库存编号:
IRFR9120NCPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 25V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO
型号:
IRF7105QTRPBF
仓库库存编号:
IRF7105QTRPBFCT-ND
别名:IRF7105QTRPBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 6.8A TO262-3
详细描述:通孔 P 沟道 100V 6.8A(Tc) 3.8W(Ta),48W(Tc) TO-262
型号:
IRF9520NLPBF
仓库库存编号:
IRF9520NLPBF-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO220-3
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 28W(Tc) PG-TO-220-FP
型号:
IPA60R600CPXKSA1
仓库库存编号:
IPA60R600CPXKSA1-ND
别名:IPA60R600CP
IPA60R600CP-ND
SP000405884
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-262
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 60W(Tc) PG-TO262-3
型号:
IPI60R600CPAKSA1
仓库库存编号:
IPI60R600CPAKSA1-ND
别名:IPI60R600CP
IPI60R600CP-ND
SP000405896
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-220
详细描述:通孔 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 60W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
IPP60R600CPXKSA1
仓库库存编号:
IPP60R600CPXKSA1-ND
别名:IPP60R600CP
IPP60R600CP-ND
SP000405888
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
无铅
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO263
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 60W(Tc) PG-TO263-2
型号:
IPB60R600CPATMA1
仓库库存编号:
IPB60R600CPATMA1CT-ND
别名:IPB60R600CPCT
IPB60R600CPCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 30V 20A PQFN
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 20A(Ta),40A(Tc) 2.8W(Ta),37W(Tc) PQFN(3x3)
型号:
IRFHM830DTR2PBF
仓库库存编号:
IRFHM830DTR2PBFCT-ND
别名:IRFHM830DTR2PBFCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
详细描述:表面贴装 N 沟道 55V 20A(Tc) 48W(Tc) D-Pak
型号:
AUIRFR4105Z
仓库库存编号:
AUIRFR4105Z-ND
别名:SP001520528
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 120V 37A 8TDSON
详细描述:表面贴装 N 沟道 120V 37A(Tc) 66W(Tc) PG-TDSON-8
型号:
BSC240N12NS3 G
仓库库存编号:
BSC240N12NS3 GCT-ND
别名:BSC240N12NS3 GCT
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600CPBTMA1
仓库库存编号:
IPD60R600CPBTMA1CT-ND
别名:IPD60R600CPCT
IPD60R600CPCT-ND
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-252
详细描述:表面贴装 N 沟道 600V 6.1A(Tc) 60W(Tc) PG-TO252-3
型号:
IPD60R600CPATMA1
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别名:SP000680642
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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Infineon Technologies
MOSFET N-CH 650V TO-220AB
详细描述:通孔 N 沟道 650V 7.3A(Tc) 83W(Tc) PG-TO-220-3
型号:
SPP07N60C3HKSA1
仓库库存编号:
SPP07N60C3HKSA1-ND
别名:SP000013525
产品分类:分立半导体产品,品牌:Infineon Technologies,规格:不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 27nC @ 10V,
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