产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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分立半导体产品
分立半导体产品
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 23A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 24A（Tc） 415W（Tc） D3Pak
型号：
APT23F60S
仓库库存编号：
APT23F60S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 24A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 24A（Tc） 335W（Tc） D3Pak
型号：
APT24F50S
仓库库存编号：
APT24F50S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 30A（Tc） 520W（Tc） D3Pak
型号：
APT28F60S
仓库库存编号：
APT28F60S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 12A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 12A（Tc） 337W（Tc） D3Pak
型号：
APT11F80S
仓库库存编号：
APT11F80S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 500V 35A TO-247
详细描述：通孔 N 沟道 500V 35A（Tc） 403W（Tc） TO-247
型号：
APT5014SLLG/TR
仓库库存编号：
APT5014SLLG/TR-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 18A T-MAX
详细描述：通孔 N 沟道 1200V 18A（Tc） 565W（Tc） T-MAX? [B2]
型号：
APT12067B2LLG
仓库库存编号：
APT12067B2LLG-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 17A（Tc） 460W（Tc） SOT-227
型号：
APT12067JLL
仓库库存编号：
APT12067JLL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 1200V 19A SOT227
详细描述：底座安装 N 沟道 1200V 19A（Tc） 520W（Tc） SOT-227
型号：
APT12057JLL
仓库库存编号：
APT12057JLL-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Microsemi Corporation
MOSFET N-CH 800V 19A D3PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 19A（Tc） 500W（Tc） D3Pak
型号：
APT18M80S
仓库库存编号：
APT18M80S-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 208W（Tc） TO-220
型号：
AOT10T60L
仓库库存编号：
785-1635-5-ND
别名：785-1635-5
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 10A TO220F
详细描述：通孔 N 沟道 600V 10A（Tc） 43W（Tc） TO-220-3F
型号：
AOTF10T60
仓库库存编号：
785-1637-5-ND
别名：785-1637-5
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 11.5A 5DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 11.5A（Ta） 104W（Tc） 5-DFN（8x8）
型号：
TK12V60W,LVQ
仓库库存编号：
TK12V60WLVQCT-ND
别名：TK12V60WLVQCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Toshiba Semiconductor and Storage
MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 15.8A（Ta） 139W（Tc） 5-DFN（8x8）
型号：
TK16V60W,LVQ
仓库库存编号：
TK16V60WLVQCT-ND
别名：TK16V60WLVQCT
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
详细描述：通孔 P 沟道 40V 50mA（Ta） 375mW（Ta） TO-72
型号：
3N163
仓库库存编号：
3N163-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
详细描述：通孔 P 沟道 40V 50mA（Ta） 375mW（Ta） TO-72
型号：
3N163-2
仓库库存编号：
3N163-2-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 40V 50MA TO-72
详细描述：通孔 P 沟道 40V 50mA（Ta） 375mW（Ta） TO-72
型号：
3N163-E3
仓库库存编号：
3N163-E3-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 30V 50MA TO-206AF
详细描述：通孔 P 沟道 30V 50mA（Ta） 375mW（Ta） TO-72
型号：
3N164
仓库库存编号：
3N164-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 21A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 600V 21A（Tc） 330W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP21N60L
仓库库存编号：
IRFP21N60L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 22A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 600V 22A（Tc） 370W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP22N60K
仓库库存编号：
IRFP22N60K-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 26A TO-247AC
详细描述：通孔 N 沟道 600V 26A（Tc） 470W（Tc） TO-247-3
型号：
IRFP26N60L
仓库库存编号：
IRFP26N60L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 38A SUPER247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 38A（Tc） 540W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
型号：
IRFPS38N60L
仓库库存编号：
IRFPS38N60L-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 40A SUPER247
详细描述：通孔 N 沟道 600V 40A（Tc） 570W（Tc） SUPER-247（TO-274AA）
型号：
IRFPS40N60K
仓库库存编号：
IRFPS40N60K-ND
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
含铅
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Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 29A（Tc） 250W（Tc） D2PAK（TO-263）
型号：
SIHB30N60E-E3
仓库库存编号：
SIHB30N60E-E3-ND
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
详细描述：表面贴装 N 沟道 500V 6A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
型号：
FDD6N50TM
仓库库存编号：
FDD6N50TM-5-ND
别名：FDD6N50TM-5
产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
无铅
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Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MOSFET N-CH 600V 4A TO-252
详细描述：通孔 N 沟道 600V 4A（Tc） 125W（Tc） TO-251A
型号：
AOI4C60
仓库库存编号：
785-1648-5-ND
别名：785-1648-5
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