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• IXYS
  MOSFET N-CH 600V 50A TO268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 600V 50A（Tc） 660W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT50N60X
  仓库库存编号：IXFT50N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Toshiba Semiconductor and Storage
  MOSFET N-CH 650V 35A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 35A（Ta） 270W（Tc） TO-247
  
  型号：TK35N65W5,S1F
  仓库库存编号：TK35N65W5S1F-ND
  别名：TK35N65W5,S1F(S
  TK35N65W5,S1F-ND
  TK35N65W5S1F
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1000V 20A（Tc） 660W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH20N100P
  仓库库存编号：IXFH20N100P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 14A（Tc） 500W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT14F100S
  仓库库存编号：APT14F100S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Vishay Siliconix
  MOSFET N-CH 600V 73A TO247AC
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 73A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG73N60E-E3
  仓库库存编号：SIHG73N60E-E3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 200V 66A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 66A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH66N20Q
  仓库库存编号：IXFH66N20Q-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 1500V 3A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 3A（Tc） 250W（Tc） TO-247（IXTH）
  
  型号：IXTH3N150
  仓库库存编号：IXTH3N150-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 900V 10.5A（Tc） 200W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR18N90P
  仓库库存编号：IXFR18N90P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• IXYS
  MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 13A（Tc） 208W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR24N80P
  仓库库存编号：IXFR24N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 18A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 18A（Tc） 500W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT17F80B
  仓库库存编号：APT17F80B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Vishay Siliconix
  N-CHANNEL 650V
  详细描述：通孔 N 沟道 650V 64A（Tc） 520W（Tc） TO-247AC
  
  型号：SIHG64N65E-GE3
  仓库库存编号：SIHG64N65E-GE3-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 600V 50A TO247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 50A（Tc） 660W（Tc） TO-247
  
  型号：IXFH50N60X
  仓库库存编号：IXFH50N60X-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 25A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 25A（Tc） 625W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT24M80B
  仓库库存编号：APT24M80B-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 800V 22A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 800V 23A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT22F80S
  仓库库存编号：APT22F80S-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 1500V 2A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 2A（Tc） 290W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTH2N150L
  仓库库存编号：IXTH2N150L-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 200V 56A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 200V 56A（Tc） 300W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT20M45BVRG
  仓库库存编号：APT20M45BVRG-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 20A（Tc） 660W（Tc） TO-268
  
  型号：IXFT20N100P
  仓库库存编号：IXFT20N100P-ND
  
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• Microsemi Corporation
  MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK
  详细描述：表面贴装 N 沟道 1000V 17A（Tc） 625W（Tc） D3Pak
  
  型号：APT17F100S
  仓库库存编号：APT17F100S-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 20A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH20N60Q
  仓库库存编号：IXFH20N60Q-ND
  
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  MOSFET N-CH 600V 23A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 600V 23A（Tc） 400W（Tc） TO-247AD（IXFH）
  
  型号：IXFH23N60Q
  仓库库存编号：IXFH23N60Q-ND
  
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  MOSFET N-CH 1500V 3A ISOTO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 1500V 3A（Tc） 125W（Tc） TO-247
  
  型号：IXTJ6N150
  仓库库存编号：IXTJ6N150-ND
  
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  MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 32A（Tc） 830W（Tc） PLUS247?-3
  
  型号：IXFX32N80P
  仓库库存编号：IXFX32N80P-ND
  
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  MOSFET N-CH 300V 40A TO-247
  详细描述：通孔 N 沟道 300V 40A（Tc） 300W（Tc） TO-247 [B]
  
  型号：APT30M85BVRG
  仓库库存编号：APT30M85BVRG-ND
  
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  MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
  详细描述：通孔 N 沟道 500V 24A（Tc） 208W（Tc） ISOPLUS247?
  
  型号：IXFR44N50P
  仓库库存编号：IXFR44N50P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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  MOSFET N-CH 800V 32A TO-264
  详细描述：通孔 N 沟道 800V 32A（Tc） 830W（Tc） TO-264AA（IXFK）
  
  型号：IXFK32N80P
  仓库库存编号：IXFK32N80P-ND
  
  产品分类：分立半导体产品,规格：Vgs（最大值） ±30V,
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