SQ4532AEY-T1_GE3,Vishay Siliconix,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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SQ4532AEY-T1_GE3 - 

N- AND P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C

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Vishay Siliconix SQ4532AEY-T1_GE3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
SQ4532AEY-T1_GE3
仓库库存编号：
SQ4532AEY-T1_GE3-ND
描述：
N- AND P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C
详细描述：
Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.3W Surface Mount 8-SOIC
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SQ4532AEY-T1_GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  汽车级，AEC-Q101，TrenchFET?  
  包装  带卷（TR）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-SOIC  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  2.5V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  30V  
  功率 - 最大值  3.3W  
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产品资料
数据列表 SQ4532AEY
标准包装 2,500

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