SIZ918DT-T1-GE3,Vishay Siliconix,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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SIZ918DT-T1-GE3 - 

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

Vishay Siliconix SIZ918DT-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SIZ918DT-T1-GE3
仓库库存编号:
SIZ918DT-T1-GE3CT-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 30V 16A, 28A 29W, 100W Surface Mount 6-PowerPair?
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

SIZ918DT-T1-GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-PowerPair?  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  TrenchFET?  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  6-PowerPair?  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  21nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  12 毫欧 @ 13.8A,10V  
  FET 类型  2 个 N 通道(半桥)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  16A,28A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  790pF @ 15V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.2V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  30V  
  功率 - 最大值  29W,100W  
关键词         

产品资料
数据列表 SIZ918DT
标准包装 1
其它名称 SIZ918DT-T1-GE3CT

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