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SISS98DN-T1-GE3 - 

MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8

Vishay Siliconix SISS98DN-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SISS98DN-T1-GE3
仓库库存编号:
SISS98DN-T1-GE3CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 200V 14.1A 1212-8
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 200V 14.1A(Tc) 57W(Tc) PowerPAK? 1212-8
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SISS98DN-T1-GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  PowerPAK? 1212-8  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  ThunderFET?  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PowerPAK? 1212-8  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  14nC @ 7.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  105 毫欧 @ 7A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  7.5V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  14.1A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  608pF @ 100V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  57W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  200V  
关键词         

产品资料
数据列表 SISS98DN
标准包装 1
其它名称 SISS98DN-T1-GE3CT

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