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SI4890BDY-T1-E3
SI4890BDY-T1-E3 -
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号:
SI4890BDY-T1-E3
仓库库存编号:
SI4890BDY-T1-E3-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 2.5W(Ta),5.7W(Tc) 8-SO
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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SI4890BDY-T1-E3产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
TrenchFET?
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-SO
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±25V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
33nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
12 毫欧 @ 10A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
16A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1535pF @ 15V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2.6V @ 250μA
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),5.7W(Tc)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
SI4890BDY
标准包装
2,500
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封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix
安装类型 表面贴装
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 TrenchFET?
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包装 带卷(TR)
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零件状态 在售
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 8-SO
Vishay Siliconix 供应商器件封装 8-SO
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技术 MOSFET(金属氧化物)
Vishay Siliconix 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±25V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V
Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 33nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12 毫欧 @ 10A,10V
Vishay Siliconix 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12 毫欧 @ 10A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 12 毫欧 @ 10A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1535pF @ 15V
Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1535pF @ 15V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 1535pF @ 15V
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FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA
Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.6V @ 250μA
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),5.7W(Tc)
Vishay Siliconix 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),5.7W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),5.7W(Tc)
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),5.7W(Tc)
漏源电压(Vdss) 30V
Vishay Siliconix 漏源电压(Vdss) 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
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