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SI4542DY-T1-GE3
SI4542DY-T1-GE3 -
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号:
SI4542DY-T1-GE3
仓库库存编号:
SI4542DY-T1-GE3-ND
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array N and P-Channel 30V 2W Surface Mount 8-SO
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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SI4542DY-T1-GE3产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
TrenchFET?
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
8-SO
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
50nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
25 毫欧 @ 6.9A,10V
FET 类型
N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
-
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
FET 功能
逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA(最小)
漏源电压(Vdss)
30V
功率 - 最大值
2W
关键词
产品资料
数据列表
SI4542DY
标准包装
2,500
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封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix
安装类型 表面贴装
Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 TrenchFET?
Vishay Siliconix 系列 TrenchFET?
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 TrenchFET?
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包装 带卷(TR)
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 带卷(TR)
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零件状态 过期
Vishay Siliconix 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 过期
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 过期
供应商器件封装 8-SO
Vishay Siliconix 供应商器件封装 8-SO
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SO
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V
Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 50nC @ 10V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 6.9A,10V
Vishay Siliconix 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 6.9A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 25 毫欧 @ 6.9A,10V
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FET 类型 N 和 P 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) -
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -
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FET 功能 逻辑电平门
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA(最小)
Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA(最小)
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1V @ 250μA(最小)
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漏源电压(Vdss) 30V
Vishay Siliconix 漏源电压(Vdss) 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 30V
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功率 - 最大值 2W
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晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2W
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 2W
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