SI1902CDL-T1-GE3,Vishay Siliconix,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

SI1902CDL-T1-GE3 - 

MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6

Vishay Siliconix SI1902CDL-T1-GE3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SI1902CDL-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1902CDL-T1-GE3TR-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 1.1A SC-70-6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.1A 420mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

SI1902CDL-T1-GE3产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-TSSOP,SC-88,SOT-363  
  制造商  Vishay Siliconix  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  TrenchFET?  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SC-70-6(SOT-363)  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  3nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  235 毫欧 @ 1A,4.5V  
  FET 类型  2 个 N 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  1.1A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  62pF @ 10V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1.5V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  20V  
  功率 - 最大值  420mW  
关键词         

产品资料
数据列表 SI1902CDL-T1-GE3
标准包装 3,000
其它名称 SI1902CDL-T1-GE3-ND
SI1902CDL-T1-GE3TR

SI1902CDL-T1-GE3您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

SI1902CDL-T1-GE3相关搜索

封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363  Vishay Siliconix 封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363   制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Vishay Siliconix   安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 TrenchFET?  Vishay Siliconix 系列 TrenchFET?  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 TrenchFET?  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 TrenchFET?   包装 带卷(TR)   Vishay Siliconix 包装 带卷(TR)   晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 带卷(TR)   Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 带卷(TR)    零件状态 在售  Vishay Siliconix 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SC-70-6(SOT-363)  Vishay Siliconix 供应商器件封装 SC-70-6(SOT-363)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SC-70-6(SOT-363)  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SC-70-6(SOT-363)   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3nC @ 10V  Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3nC @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3nC @ 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 3nC @ 10V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 235 毫欧 @ 1A,4.5V  Vishay Siliconix 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 235 毫欧 @ 1A,4.5V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 235 毫欧 @ 1A,4.5V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 235 毫欧 @ 1A,4.5V   FET 类型 2 个 N 沟道(双)  Vishay Siliconix FET 类型 2 个 N 沟道(双)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道(双)  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道(双)   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A  Vishay Siliconix 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.1A   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 62pF @ 10V  Vishay Siliconix 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 62pF @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 62pF @ 10V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 62pF @ 10V   FET 功能 逻辑电平门  Vishay Siliconix FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA  Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250μA   漏源电压(Vdss) 20V  Vishay Siliconix 漏源电压(Vdss) 20V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 20V  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 20V   功率 - 最大值 420mW  Vishay Siliconix 功率 - 最大值 420mW  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 420mW  Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 420mW  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号