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SI1431DH-T1-GE3
SI1431DH-T1-GE3 -
MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号:
SI1431DH-T1-GE3
仓库库存编号:
SI1431DH-T1-GE3-ND
描述:
MOSFET P-CH 30V 1.7A SOT363
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 1.7A(Ta) 950mW(Ta) SC-70-6(SOT-363)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
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sales@szcwdz.com
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SI1431DH-T1-GE3产品属性
产品规格
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
TrenchFET?
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
SC-70-6(SOT-363)
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
4nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
200 毫欧 @ 2A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.7A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
-
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3V @ 100μA
功率耗散(最大值)
950mW(Ta)
漏源电压(Vdss)
30V
关键词
产品资料
数据列表
SI1431DH
标准包装
3,000
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封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
Vishay Siliconix 封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix
安装类型 表面贴装
Vishay Siliconix 安装类型 表面贴装
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 TrenchFET?
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包装 带卷(TR)
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)
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零件状态 在售
Vishay Siliconix 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
供应商器件封装 SC-70-6(SOT-363)
Vishay Siliconix 供应商器件封装 SC-70-6(SOT-363)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SC-70-6(SOT-363)
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 SC-70-6(SOT-363)
技术 MOSFET(金属氧化物)
Vishay Siliconix 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
Vishay Siliconix Vgs(最大值) ±20V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 4.5V
Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 4nC @ 4.5V
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 200 毫欧 @ 2A,10V
Vishay Siliconix 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 200 毫欧 @ 2A,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 200 毫欧 @ 2A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
Vishay Siliconix 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
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FET 类型 P 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.7A(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) -
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FET 功能 -
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 100μA
Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 100μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3V @ 100μA
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功率耗散(最大值) 950mW(Ta)
Vishay Siliconix 功率耗散(最大值) 950mW(Ta)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 950mW(Ta)
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 950mW(Ta)
漏源电压(Vdss) 30V
Vishay Siliconix 漏源电压(Vdss) 30V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 30V
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