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2N6661JTXP02
2N6661JTXP02 -
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Siliconix
Vishay Siliconix
制造商产品编号:
2N6661JTXP02
仓库库存编号:
2N6661JTXP02-ND
描述:
MOSFET N-CH 90V 0.86A TO-205
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 90V 860mA(Tc) 725mW(Ta),6.25W(Tc) TO-39
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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2N6661JTXP02产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-205AD,TO-39-3 金属罐
制造商
Vishay Siliconix
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
过期
供应商器件封装
TO-39
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
-
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
4 欧姆 @ 1A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
860mA(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
50pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
功率耗散(最大值)
725mW(Ta),6.25W(Tc)
漏源电压(Vdss)
90V
关键词
产品资料
数据列表
2N6661(2)/2N6661JANTX(V)
标准包装
20
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Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-205AD,TO-39-3 金属罐
制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 制造商 Vishay Siliconix
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Vishay Siliconix
安装类型 通孔
Vishay Siliconix 安装类型 通孔
晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
Vishay Siliconix 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 -
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包装 管件
Vishay Siliconix 包装 管件
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Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件
零件状态 过期
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
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供应商器件封装 TO-39
Vishay Siliconix 供应商器件封装 TO-39
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-39
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-39
技术 MOSFET(金属氧化物)
Vishay Siliconix 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±20V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±20V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
Vishay Siliconix 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) -
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不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 欧姆 @ 1A,10V
Vishay Siliconix 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 4 欧姆 @ 1A,10V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 5V,10V
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FET 类型 N 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 860mA(Tc)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 50pF @ 25V
FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
Vishay Siliconix 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2V @ 1mA
功率耗散(最大值) 725mW(Ta),6.25W(Tc)
Vishay Siliconix 功率耗散(最大值) 725mW(Ta),6.25W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 725mW(Ta),6.25W(Tc)
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 725mW(Ta),6.25W(Tc)
漏源电压(Vdss) 90V
Vishay Siliconix 漏源电压(Vdss) 90V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 90V
Vishay Siliconix 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 90V
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