VS-GT400TH120N,Vishay Semiconductor Diodes Division,分立半导体产品,晶体管 - IGBT - 模块
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

VS-GT400TH120N - 

IGBT 1200V 600A 2119W DIAP

  • 已过时的产品。
Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT400TH120N
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
VS-GT400TH120N
仓库库存编号:
VS-GT400TH120N-ND
描述:
IGBT 1200V 600A 2119W DIAP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Module Trench Half Bridge 1200V 600A 2119W Chassis Mount Double INT-A-PAK
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

VS-GT400TH120N产品属性


产品规格
  封装/外壳  双 INT-A-PAK(3 + 8)  
  制造商  Vishay Semiconductor Diodes Division  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  双 INT-A-PAK  
  输入  标准  
  配置  半桥  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1200V  
  Power - Max  2119W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  600A  
  IGBT 类型  沟道  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  2.15V @ 15V,400A  
  NTC 热敏电阻  无  
  不同?Vce 时的输入电容(Cies)  28.8nF @ 25V  
  Current - Collector Cutoff (Max)  5mA  
关键词         

产品资料
标准包装 12
其它名称 VSGT400TH120N

VS-GT400TH120N相关搜索

封装/外壳 双 INT-A-PAK(3 + 8)  Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 双 INT-A-PAK(3 + 8)  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 双 INT-A-PAK(3 + 8)  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 双 INT-A-PAK(3 + 8)   制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division   安装类型 底座安装  Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 150°C(TJ)  Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 150°C(TJ)  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 150°C(TJ)  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 150°C(TJ)   系列 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 -  晶体管 - IGBT - 模块 系列 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 系列 -   零件状态 过期  Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 过期  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期   供应商器件封装 双 INT-A-PAK  Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 双 INT-A-PAK  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 双 INT-A-PAK  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 双 INT-A-PAK   输入 标准  Vishay Semiconductor Diodes Division 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 半桥  Vishay Semiconductor Diodes Division 配置 半桥  晶体管 - IGBT - 模块 配置 半桥  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 配置 半桥   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Vishay Semiconductor Diodes Division Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 2119W  Vishay Semiconductor Diodes Division Power - Max 2119W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 2119W  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 2119W   Current - Collector (Ic) (Max) 600A  Vishay Semiconductor Diodes Division Current - Collector (Ic) (Max) 600A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 600A  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 600A   IGBT 类型 沟道  Vishay Semiconductor Diodes Division IGBT 类型 沟道  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 沟道  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 沟道   不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.15V @ 15V,400A  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.15V @ 15V,400A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.15V @ 15V,400A  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 2.15V @ 15V,400A   NTC 热敏电阻 无  Vishay Semiconductor Diodes Division NTC 热敏电阻 无  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无   不同?Vce 时的输入电容(Cies) 28.8nF @ 25V  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 28.8nF @ 25V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 28.8nF @ 25V  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 28.8nF @ 25V   Current - Collector Cutoff (Max) 5mA  Vishay Semiconductor Diodes Division Current - Collector Cutoff (Max) 5mA  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector Cutoff (Max) 5mA  Vishay Semiconductor Diodes Division 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector Cutoff (Max) 5mA  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号