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TZQ5231B-GS18
TZQ5231B-GS18 -
DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD80
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division
制造商产品编号:
TZQ5231B-GS18
仓库库存编号:
TZQ5231B-GS18-ND
描述:
DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD80
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Zener Diode 500mW ±5% Surface Mount SOD-80 QuadroMELF
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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TZQ5231B-GS18产品属性
产品规格
封装/外壳
SOD-80 变式
制造商
Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型
表面贴装
工作温度
-65°C ~ 175°C
系列
汽车级,AEC-Q101
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOD-80 QuadroMELF
容差
±5%
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
5μA @ 2V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
1.5V @ 200mA
Power - Max
500mW
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
5.1V
阻抗(最大值)(Zzt)
17 Ohms
关键词
产品资料
数据列表
TZQ5221B to TZQ5267B
标准包装
10,000
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封装/外壳 SOD-80 变式
Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 SOD-80 变式
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制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型 表面贴装
Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 表面贴装
二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -65°C ~ 175°C
Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 -65°C ~ 175°C
二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -65°C ~ 175°C
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -65°C ~ 175°C
系列 汽车级,AEC-Q101
Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 汽车级,AEC-Q101
二极管 - 齐纳 - 单 系列 汽车级,AEC-Q101
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 系列 汽车级,AEC-Q101
包装 带卷(TR)
Vishay Semiconductor Diodes Division 包装 带卷(TR)
二极管 - 齐纳 - 单 包装 带卷(TR)
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 包装 带卷(TR)
零件状态 在售
Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 在售
二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 SOD-80 QuadroMELF
Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 SOD-80 QuadroMELF
二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 SOD-80 QuadroMELF
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 SOD-80 QuadroMELF
容差 ±5%
Vishay Semiconductor Diodes Division 容差 ±5%
二极管 - 齐纳 - 单 容差 ±5%
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 容差 ±5%
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 5μA @ 2V
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 5μA @ 2V
二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 5μA @ 2V
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 5μA @ 2V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.5V @ 200mA
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.5V @ 200mA
二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.5V @ 200mA
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) 1.5V @ 200mA
Power - Max 500mW
Vishay Semiconductor Diodes Division Power - Max 500mW
二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 500mW
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电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 5.1V
Vishay Semiconductor Diodes Division 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 5.1V
二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 5.1V
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阻抗(最大值)(Zzt) 17 Ohms
Vishay Semiconductor Diodes Division 阻抗(最大值)(Zzt) 17 Ohms
二极管 - 齐纳 - 单 阻抗(最大值)(Zzt) 17 Ohms
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