AZ23C51-HE3-18,Vishay Semiconductor Diodes Division,分立半导体产品,二极管 - 齐纳 - 阵列
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AZ23C51-HE3-18
AZ23C51-HE3-18 -
DIODE ZENER 51V 300MW SOT23
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division
制造商产品编号:
AZ23C51-HE3-18
仓库库存编号:
AZ23C51-HE3-18-ND
描述:
DIODE ZENER 51V 300MW SOT23
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Zener Diode Array 1 Pair Common Anode 300mW ±5% SOT-23
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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AZ23C51-HE3-18产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商
Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C
系列
汽车级,AEC-Q101
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-23
容差
±5%
配置
1 对共阳极
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流
100nA @ 38V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf)
-
Power - Max
300mW
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
51V
阻抗(最大值)(Zzt)
100 Ohms
关键词
产品资料
数据列表
AZ23 Series
标准包装
10,000
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封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 阵列 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
二极管 - 齐纳 - 阵列 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 阵列 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
安装类型 表面贴装
Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 表面贴装
二极管 - 齐纳 - 阵列 安装类型 表面贴装
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 阵列 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C
Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 -55°C ~ 150°C
二极管 - 齐纳 - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C
系列 汽车级,AEC-Q101
Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 汽车级,AEC-Q101
二极管 - 齐纳 - 阵列 系列 汽车级,AEC-Q101
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包装 带卷(TR)
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二极管 - 齐纳 - 阵列 包装 带卷(TR)
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零件状态 在售
Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 在售
二极管 - 齐纳 - 阵列 零件状态 在售
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供应商器件封装 SOT-23
Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 SOT-23
二极管 - 齐纳 - 阵列 供应商器件封装 SOT-23
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容差 ±5%
Vishay Semiconductor Diodes Division 容差 ±5%
二极管 - 齐纳 - 阵列 容差 ±5%
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配置 1 对共阳极
Vishay Semiconductor Diodes Division 配置 1 对共阳极
二极管 - 齐纳 - 阵列 配置 1 对共阳极
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不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 38V
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 38V
二极管 - 齐纳 - 阵列 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 38V
Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 阵列 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 38V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf) -
Vishay Semiconductor Diodes Division 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) -
二极管 - 齐纳 - 阵列 不同 If 时的电压 - 正向(Vf) -
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Power - Max 300mW
Vishay Semiconductor Diodes Division Power - Max 300mW
二极管 - 齐纳 - 阵列 Power - Max 300mW
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电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 51V
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二极管 - 齐纳 - 阵列 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 51V
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阻抗(最大值)(Zzt) 100 Ohms
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二极管 - 齐纳 - 阵列 阻抗(最大值)(Zzt) 100 Ohms
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