1N5256B-TR,Vishay Semiconductor Diodes Division,分立半导体产品,二极管 - 齐纳 - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

1N5256B-TR - 

DIODE ZENER 30V 500MW DO35

Vishay Semiconductor Diodes Division 1N5256B-TR
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
1N5256B-TR
仓库库存编号：
1N5256BGICT-ND
描述：
DIODE ZENER 30V 500MW DO35
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

1N5256B-TR产品属性


产品规格
  封装/外壳  DO-204AH，DO-35，轴向  
  制造商  Vishay Semiconductor Diodes Division  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -65°C ~ 175°C  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  DO-35  
  容差  ±5%  
  不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流  100nA @ 23V  
  不同 If 时的电压 - 正向（Vf）  1.1V @ 200mA  
  Power - Max  500mW  
  电压 - 齐纳（标称值）（Vz）  30V  
  阻抗（最大值）（Zzt）  49 Ohms  
关键词         

产品资料
数据列表 1N5221B to 1N5267B
标准包装 1
其它名称 1N5256BGICT

1N5256B-TR您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

1N5256B-TR相关搜索

封装/外壳 DO-204AH，DO-35，轴向  Vishay Semiconductor Diodes Division 封装/外壳 DO-204AH，DO-35，轴向  二极管 - 齐纳 - 单 封装/外壳 DO-204AH，DO-35，轴向  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 封装/外壳 DO-204AH，DO-35，轴向   制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division   安装类型 通孔  Vishay Semiconductor Diodes Division 安装类型 通孔  二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 通孔  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 安装类型 通孔   工作温度 -65°C ~ 175°C  Vishay Semiconductor Diodes Division 工作温度 -65°C ~ 175°C  二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -65°C ~ 175°C  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 工作温度 -65°C ~ 175°C   系列 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 系列 -  二极管 - 齐纳 - 单 系列 -  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 系列 -   包装 剪切带（CT）   Vishay Semiconductor Diodes Division 包装 剪切带（CT）   二极管 - 齐纳 - 单 包装 剪切带（CT）   Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Vishay Semiconductor Diodes Division 零件状态 在售  二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 在售  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 DO-35  Vishay Semiconductor Diodes Division 供应商器件封装 DO-35  二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 DO-35  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 供应商器件封装 DO-35   容差 ±5%  Vishay Semiconductor Diodes Division 容差 ±5%  二极管 - 齐纳 - 单 容差 ±5%  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 容差 ±5%   不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 23V  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 23V  二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 23V  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 100nA @ 23V   不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.1V @ 200mA  Vishay Semiconductor Diodes Division 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.1V @ 200mA  二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.1V @ 200mA  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 不同 If 时的电压 - 正向（Vf） 1.1V @ 200mA   Power - Max 500mW  Vishay Semiconductor Diodes Division Power - Max 500mW  二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 500mW  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 Power - Max 500mW   电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 30V  Vishay Semiconductor Diodes Division 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 30V  二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 30V  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 电压 - 齐纳（标称值）（Vz） 30V   阻抗（最大值）（Zzt） 49 Ohms  Vishay Semiconductor Diodes Division 阻抗（最大值）（Zzt） 49 Ohms  二极管 - 齐纳 - 单 阻抗（最大值）（Zzt） 49 Ohms  Vishay Semiconductor Diodes Division 二极管 - 齐纳 - 单 阻抗（最大值）（Zzt） 49 Ohms  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号