TMC1620-TO,Trinamic Motion Control GmbH,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

TMC1620-TO - 

MOSFET N/P-CH 60V TO252-4

  • 已过时的产品。
Trinamic Motion Control GmbH TMC1620-TO
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
TMC1620-TO
仓库库存编号：
1460-1140-1-ND
描述：
MOSFET N/P-CH 60V TO252-4
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 60V 6.6A, 4.7A 3.13W Surface Mount TO-252-4L
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

TMC1620-TO产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD  
  制造商  Trinamic Motion Control GmbH  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-252-4L  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  19.2nC @ 4.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  36 毫欧 @ 6A，10V  
  FET 类型  N 和 P 沟道，共漏  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  6.6A，4.7A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1560pF @ 25V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3V @ 250μA  
  漏源电压（Vdss）  60V  
  功率 - 最大值  3.13W  
关键词         

产品资料
数据列表 TMC1620-TO
标准包装 1
其它名称 1460-1140-1

TMC1620-TO您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

TMC1620-TO相关搜索

封装/外壳 TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD  Trinamic Motion Control GmbH 封装/外壳 TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD   制造商 Trinamic Motion Control GmbH  Trinamic Motion Control GmbH 制造商 Trinamic Motion Control GmbH  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Trinamic Motion Control GmbH  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Trinamic Motion Control GmbH   安装类型 表面贴装  Trinamic Motion Control GmbH 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Trinamic Motion Control GmbH 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Trinamic Motion Control GmbH 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 剪切带（CT）   Trinamic Motion Control GmbH 包装 剪切带（CT）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）   Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 剪切带（CT）    零件状态 过期  Trinamic Motion Control GmbH 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-252-4L  Trinamic Motion Control GmbH 供应商器件封装 TO-252-4L  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 TO-252-4L  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 TO-252-4L   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.2nC @ 4.5V  Trinamic Motion Control GmbH 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.2nC @ 4.5V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.2nC @ 4.5V  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 19.2nC @ 4.5V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 36 毫欧 @ 6A，10V  Trinamic Motion Control GmbH 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 36 毫欧 @ 6A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 36 毫欧 @ 6A，10V  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 36 毫欧 @ 6A，10V   FET 类型 N 和 P 沟道，共漏  Trinamic Motion Control GmbH FET 类型 N 和 P 沟道，共漏  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道，共漏  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道，共漏   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A，4.7A  Trinamic Motion Control GmbH 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A，4.7A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A，4.7A  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.6A，4.7A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1560pF @ 25V  Trinamic Motion Control GmbH 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1560pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1560pF @ 25V  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1560pF @ 25V   FET 功能 标准  Trinamic Motion Control GmbH FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA  Trinamic Motion Control GmbH 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 60V  Trinamic Motion Control GmbH 漏源电压（Vdss） 60V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 60V   功率 - 最大值 3.13W  Trinamic Motion Control GmbH 功率 - 最大值 3.13W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 3.13W  Trinamic Motion Control GmbH 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 3.13W  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号