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TPCC8008(TE12L,QM) - 

MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON

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Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8008(TE12L,QM)
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
TPCC8008(TE12L,QM)
仓库库存编号:
TPCC8008(TE12LQM)CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 25A(Ta) 700mW(Ta),30W(Tc) 8-TSON
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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TPCC8008(TE12L,QM)产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-VDFN 裸露焊盘  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  U-MOSIV  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  8-TSON  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±25V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  30nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  6.8 毫欧 @ 12.5A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  4.5V,10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  25A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1600pF @ 10V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2.5V @ 1A  
  功率耗散(最大值)  700mW(Ta),30W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  30V  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 TPCC8008(TE12LQM)CT
TPCC8008TE12LQM

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