TPC8208(TE12L,Q),Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

TPC8208(TE12L,Q) - 

MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP

  • 不提供增值包装;备有另选包装。
Toshiba Semiconductor and Storage TPC8208(TE12L,Q)
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
TPC8208(TE12L,Q)
仓库库存编号:
TPC8208QDKR-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-SOP
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 5A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

TPC8208(TE12L,Q)产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  -Reel?   
  零件状态   已不再提供  
  供应商器件封装  8-SOP(5.5x6.0)  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  9.5nC @ 5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  50 毫欧 @ 2.5A,4V  
  FET 类型  2 个 N 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  5A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  780pF @ 10V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1.2V @ 200μA  
  漏源电压(Vdss)  20V  
  功率 - 最大值  450mW  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 TPC8208DKR
TPC8208DKR-ND
TPC8208QDKR
TPC8208TE12LQ

TPC8208(TE12L,Q)相关搜索

封装/外壳 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽)   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C(TJ)  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 150°C(TJ)  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 150°C(TJ)   系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 -  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 -   包装 -Reel?   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 -Reel?   晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 -Reel?   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 -Reel?    零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态  已不再提供  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态  已不再提供  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态  已不再提供   供应商器件封装 8-SOP(5.5x6.0)  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 8-SOP(5.5x6.0)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOP(5.5x6.0)  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 8-SOP(5.5x6.0)   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 5V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 5V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 5V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 9.5nC @ 5V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 2.5A,4V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 2.5A,4V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 2.5A,4V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 50 毫欧 @ 2.5A,4V   FET 类型 2 个 N 沟道(双)  Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 2 个 N 沟道(双)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道(双)  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道(双)   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 5A   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 780pF @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 780pF @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 780pF @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 780pF @ 10V   FET 功能 逻辑电平门  Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 200μA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 200μA  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 200μA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 200μA   漏源电压(Vdss) 20V  Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压(Vdss) 20V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 20V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 20V   功率 - 最大值 450mW  Toshiba Semiconductor and Storage 功率 - 最大值 450mW  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 450mW  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 450mW  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号