TK11A65W,S5X,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

TK11A65W,S5X - 

MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220

Toshiba Semiconductor and Storage TK11A65W,S5X
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
TK11A65W,S5X
仓库库存编号:
TK11A65WS5X-ND
描述:
MOSFET N-CH 650V 11.1A TO-220
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 11.1A(Ta) 35W(Tc) TO-220SIS
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

TK11A65W,S5X产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3 全封装,隔离接片  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  通孔  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  DTMOSIV  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-220SIS  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  25nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  390 毫欧 @ 5.5A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  11.1A(Ta)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  890pF @ 300V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  3.5V @ 450μA  
  功率耗散(最大值)  35W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  650V  
关键词         

产品资料
数据列表 TK11A65W
标准包装 50
其它名称 TK11A65W,S5X(M
TK11A65W,S5X-ND
TK11A65WS5X

TK11A65W,S5X相关搜索

封装/外壳 TO-220-3 全封装,隔离接片  Toshiba Semiconductor and Storage 封装/外壳 TO-220-3 全封装,隔离接片  晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 全封装,隔离接片  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-220-3 全封装,隔离接片   制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage   安装类型 通孔  Toshiba Semiconductor and Storage 安装类型 通孔  晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 150°C(TJ)  Toshiba Semiconductor and Storage 工作温度 150°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 工作温度 150°C(TJ)   系列 DTMOSIV  Toshiba Semiconductor and Storage 系列 DTMOSIV  晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 DTMOSIV  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 DTMOSIV   包装 管件   Toshiba Semiconductor and Storage 包装 管件   晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件   Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 零件状态 在售  晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-220SIS  Toshiba Semiconductor and Storage 供应商器件封装 TO-220SIS  晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220SIS  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-220SIS   技术 MOSFET(金属氧化物)  Toshiba Semiconductor and Storage 技术 MOSFET(金属氧化物)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)   Vgs(最大值) ±30V  Toshiba Semiconductor and Storage Vgs(最大值) ±30V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±30V   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 25nC @ 10V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 390 毫欧 @ 5.5A,10V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 390 毫欧 @ 5.5A,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 390 毫欧 @ 5.5A,10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 390 毫欧 @ 5.5A,10V   驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V   FET 类型 N 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage FET 类型 N 沟道  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 类型 N 沟道   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11.1A(Ta)  Toshiba Semiconductor and Storage 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11.1A(Ta)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11.1A(Ta)  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 11.1A(Ta)   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 890pF @ 300V  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 890pF @ 300V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 890pF @ 300V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 890pF @ 300V   FET 功能 -  Toshiba Semiconductor and Storage FET 功能 -  晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 450μA  Toshiba Semiconductor and Storage 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 450μA  晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 450μA  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 450μA   功率耗散(最大值) 35W(Tc)  Toshiba Semiconductor and Storage 功率耗散(最大值) 35W(Tc)  晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 35W(Tc)  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 35W(Tc)   漏源电压(Vdss) 650V  Toshiba Semiconductor and Storage 漏源电压(Vdss) 650V  晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 650V  Toshiba Semiconductor and Storage 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 650V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号