SSM6L61NU,LF,Toshiba Semiconductor and Storage,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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SSM6L61NU,LF - 

MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6

Toshiba Semiconductor and Storage SSM6L61NU,LF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
SSM6L61NU,LF
仓库库存编号:
SSM6L61NULFCT-ND
描述:
MOSFET N/P-CH 20V 4A UDFN6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array N and P-Channel 20V 4A Surface Mount 6-UDFN (2x2)
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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SSM6L61NU,LF产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-WDFN 裸露焊盘  
  制造商  Toshiba Semiconductor and Storage  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  6-UDFN(2x2)  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  -  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  -  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  4A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  -  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  -  
  漏源电压(Vdss)  20V  
  功率 - 最大值  -  
关键词         

产品资料
数据列表 SSM6L61NU
标准包装 1
其它名称 SSM6L61NULFCT

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